特許
J-GLOBAL ID:201903015814832783
高周波用トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
新居 広守
, 寺谷 英作
, 道坂 伸一
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-501852
特許番号:特許第6604495号
出願日: 2018年02月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたソース電極と、
前記半導体基板上に形成されたドレイン電極と、
前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極に電圧を印加するためのゲート駆動配線と、
前記ゲート電極と前記ゲート駆動配線との間に接続されたインピーダンス調整回路とを備え、
前記インピーダンス調整回路から前記ゲート電極との接続点を見たときの前記ゲート電極の特性インピーダンスがZ1であり、
前記インピーダンス調整回路から前記ゲート駆動配線との接続点を見たときの前記ゲート駆動配線の特性インピーダンスがZ2であり、
前記インピーダンス調整回路の特性インピーダンスXはZ1とZ2の間の値をもつ
高周波用トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 29/06 301 F
, H01L 29/80 F
, H01L 29/80 R
引用特許: