特許

J-GLOBAL ID：201903015974783568

炭化ケイ素単結晶の製造方法

発明者： 原田 俊太 ,  宇治原 徹 ,  畑佐 豪記 ,  村山 健太
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (3件)： 藤谷 修 ,  一色 昭則 ,  角谷 智広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-140932
公開番号（公開出願番号）：特開2019-019037
出願日： 2017年07月20日
公開日（公表日）： 2019年02月07日
要約：

【課題】SiC単結晶の結晶成長速度の向上と金属不純物の濃度低減を両立させること。【解決手段】まず、黒鉛坩堝10に、SiとYとを含む溶液100を用意する。用意した溶液100を、結晶成長温度まで加熱する。次に、溶液100を結晶成長温度で2時間以上保持する。これにより、黒鉛坩堝10からCを溶液100へと供給し、溶液100の炭素濃度の向上を図る。次に、溶液100に種結晶200を浸漬させる。そして、種結晶200にSiCの単結晶を析出させ、成長させる。Yの添加によって炭素溶解度を向上させることができ、また、YはSiC単結晶に取り込まれにくい。そのため、SiC単結晶の結晶成長速度の向上と金属不純物の濃度低減を両立できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SiとYとCを含む溶液にSiCからなる種結晶の結晶成長面を接触させ、前記種結晶の結晶成長面にSiCを結晶成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、 前記種結晶の結晶成長面を前記溶液に接触させる前に、前記溶液を結晶成長温度で所定時間保持して前記溶液の炭素濃度を飽和させた後、前記溶液を前記結晶成長温度で保持したまま、前記溶液に前記種結晶の結晶成長面を接触させる、 ことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/00

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/00 Z

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077CC01 ,  4G077CC04 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EA01 ,  4G077HA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-039967   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日立化成株式会社
• 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-164573   出願人：京セラ株式会社