半導体製造における金属層の溶融処理のためのレーザ系システムおよび方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：北原宏修 , 山内聡 , 伊藤世子 , 中西健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-138245
公開番号（公開出願番号）：特開2019-050356
出願日： 2018年07月24日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：

【課題】金属の抵抗率が低下し、製造されるICチップの性能を向上させることができる金属層の溶融処理のためのレーザ系システムおよび方法を提供する。【解決手段】レーザ溶融システム2は、金属層14LまたはIC構造13の何れかの上にレーザ光線によって形成される焦点スポットFSを走査することを含む。IC構造は、金属および非金属を含む。焦点スポットは、走査経路上を走査される。走査経路は、部分的に重複する複数の走査経路セグメントを含む。焦点スポットは、金属層を局所的に溶融させるか、あるいは、非金属を溶融させることなくIC構造の金属を局所的に溶融させるために選択される放射照度および滞留時間を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に形成された集積回路(IC)構造の処理方法であって、前記IC構造は、第1の融点T1を有する少なくとも一つの金属特性部と、第1の融点T1よりも高い第2の融点T2を有する少なくとも一つの非金属特性部とによって規定され、連続波レーザまたは準連続波レーザによって照射されたレーザ光線から焦点レーザスポットを形成することと、前記焦点レーザスポットを前記IC構造上で走査して、前記少なくとも一つの金属特性部および前記少なくとも一つの非金属特性部の両方に照射することとを備え、前記レーザ光線は、前記半導体ウエハの表面に対してP偏光されており、前記走査中において、前記少なくとも一つの金属特性部は溶融して再結晶化する一方、前記少なくとも一つの非金属特性部は溶融しない、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 , B23K 26/354 , B23K 26/00 , B23K 26/062 , B23K 26/03 , B23K 26/082

FI (7件)：

H01L21/268 J , H01L21/268 T , B23K26/354 , B23K26/00 N , B23K26/0622 , B23K26/03 , B23K26/082

Fターム (14件)：

4E168AC01 , 4E168CA01 , 4E168CB04 , 4E168CB22 , 4E168DA03 , 4E168DA04 , 4E168DA40 , 4E168DA42 , 4E168DA45 , 4E168DA52 , 4E168EA11 , 4E168HA00 , 4E168JA12 , 4E168JA13

引用特許：

審査官引用 (6件)

調整レーザパルスを動的に生成する方法およびシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-501972 出願人：エレクトロサイエンティフィックインダストリーズインコーポレーテッド
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公報種別：公開公報出願番号：特願2007-257457 出願人：株式会社東芝
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公報種別：公開公報出願番号：特願2005-013256 出願人：ウルトラテックインク

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