特許
J-GLOBAL ID:201903016878126382
テンプレート
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 立石 英之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-159214
公開番号(公開出願番号):特開2019-004170
出願日: 2018年08月28日
公開日(公表日): 2019年01月10日
要約:
【課題】 被転写基板の上に形成される樹脂パターンに欠陥を生じさせることを防止しつつ、高精度なアライメントを可能とするテンプレートの製造方法およびテンプレートを提供する。【解決手段】 テンプレートの製造方法を、主面12から基部が掘り下げられた第1の凹構造13と第2の凹構造14を有し、第2の凹構造14の開口幅W2が第1の凹構造13の開口幅W1よりも大きい凹凸基板1を準備する工程と、高屈折率材料31を、主面12、第1の凹構造13の側面、第2の凹構造14の側面、及び、第2の凹構造14の底面に堆積させる工程と、第2の凹構造14の底面に堆積させた高屈折率材料31を残しつつ、主面1及び第1の凹構造13の側面に堆積させた高屈折率材料31を除去する工程を、順に備える製造方法とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
主面から基部が掘り下げられた第1の凹構造と第2の凹構造を有し、前記第2の凹構造の開口幅が前記第1の凹構造の開口幅よりも大きい凹凸基板を準備する凹凸基板準備工程と、
前記基部を構成する第1の材料よりも高い屈折率を有する第2の材料を、前記第1の凹構造の底面には堆積させずに、前記主面、前記第1の凹構造の側面、前記第2の凹構造の側面、及び、前記第2の凹構造の底面に堆積させる堆積工程と、
前記第2の凹構造の底面に堆積させた前記第2の材料を残しつつ、前記主面及び前記第1の凹構造の側面に堆積させた前記第2の材料を除去する除去工程と、
を順に備え、
前記堆積工程が、
前記第2の材料に含まれる物質から構成されるスパッタターゲットを用いたスパッタ成膜工程であって、
前記第1の凹構造の幅をW1、
前記第1の凹構造の深さをD1、
前記第2の凹構造の幅をW2、
前記第2の凹構造の深さをD2、
とした場合に、
前記凹凸基板の主面の垂線と前記スパッタターゲットのスパッタ面の垂線のなす角度θが、
W1/D1<tanθ<W2/D2
の関係を満たすことを特徴とするテンプレートの製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/30 502D
, B29C33/42
Fターム (11件):
4F202AA44
, 4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AH33
, 4F202CA19
, 4F202CA27
, 4F202CB01
, 4F202CD05
, 4F202CD23
, 4F202CD24
, 5F146AA32
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る