特許
J-GLOBAL ID：201903017225632297
配位子、高分子錯体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-561073
特許番号：特許第6590254号
出願日： 2015年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する高分子錯体。
-(Ar-L1-X1-M1(LG)m-X1-L1-Ar-M2-)n (2)
一般式(2)中、
Arは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を1〜3個含み、縮環していてもよい5〜14員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示し、前記Arは、ヘテロ原子として1〜3個の窒素原子を含む5〜8員単環芳香族ヘテロ炭化水素基である、
L1は、連結基または直接結合であるリンカーを示し、
X1は、O=P(Ar11Ar12)-で示されるホスフィンオキシド基(但し、Ar11及びAr12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す)を示し、
M1は、希土類イオンであり、
M2は、遷移金属イオンであり、
LGは、前記M1で示される希土類イオンに配位する多座配位子であり、mは、任意の整数であり、
nは、2〜500,000の範囲である。
IPC (4件)：
C08G 79/14 ( 200 6.01)
, C09D 11/03 ( 201 4.01)
, C09K 11/06 ( 200 6.01)
, C08L 101/00 ( 200 6.01)
C08G 79/14
, C09D 11/03
, C09K 11/06 680
, C08L 101/00
