特許

J-GLOBAL ID：201903018338394747

半導体記憶装置

発明者： 白 グスル ,  福田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人 (7件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  山ノ井 傑
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-173984
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041519
特許番号：特許第6538629号
出願日： 2016年09月06日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メモリセルと、前記メモリセルに接続されたワード線と、前記メモリセルに接続されたビット線と、を有するセルアレイと、 前記セルアレイ内の前記メモリセルに印加される電位を生成する電位生成回路と、 前記電位に基づいて、前記ワード線上のパルス電圧のパルス幅を制御する制御信号を出力する制御信号出力回路と、 前記制御信号の値に基づいて前記パルス幅を調整することで、前記パルス電圧の発生中に生じる前記ビット線上の電圧の振幅を制御するパルス幅調整回路と、 を備える半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/418 ( 200 6.01) ,  G11C 11/417 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G11C 11/418 110 ,  G11C 11/417 100

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-142587   出願人：株式会社日立製作所
• スタンバイ時のメモリ・アレイ及びワードライン・ドライバ供給電圧差
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-184984   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド