特許
J-GLOBAL ID：201903018767483219

半導体装置

発明者：
菊地 拓雄

菊地 拓雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
東芝デバイス&ストレージ株式会社

東芝デバイス&ストレージ株式会社 について


代理人 (5件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  白井 達哲 ,  内田 敬人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-079323
公開番号（公開出願番号）：特開2019-186506
出願日： 2018年04月17日
公開日（公表日）： 2019年10月24日
要約：
【課題】特性を安定化できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1〜第3半導体領域と、第1〜第3電極と、第1〜第3絶縁領域を含む第1絶縁部と、を含む。第1絶縁領域及び第3絶縁領域は、第1〜第5条件の少なくともいずれかを満たす。第1条件において、第3絶縁領域は、窒素を含み、第1絶縁領域は、窒素を含まない。第2条件において、第1絶縁領域における窒素の濃度は、第3絶縁領域における窒素の濃度よりも低い。第3条件において、第3絶縁領域は、Alなどの第1金属を含み、第1絶縁領域は、第1金属を含まない。第4条件において、第1絶縁領域における第1金属の濃度は、第3絶縁領域における第1金属の濃度よりも低い。第5条件において、第1絶縁領域は、SiOz1を含み、第3絶縁領域は、SiOz2(z1<z2)を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1部分領域及び第2部分領域を含み、第1導電形の第1半導体領域と、 前記第1導電形の第2半導体領域であって、前記第2部分領域から前記第2半導体領域への第1方向は、前記第2部分領域から前記第1部分領域への第2方向と交差した、前記第2半導体領域と、 前記第1方向において前記第2部分領域と前記第2半導体領域との間に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、 第1電極であって、前記第3半導体領域から前記第1電極への方向は、前記第2方向に沿う、前記第1電極と、 前記第2半導体領域と電気的に接続された第2電極と、 前記第1半導体領域と電気的に接続された第3電極と、 第1絶縁部であって、 前記第2方向において前記第3半導体領域と前記第1電極との間に設けられた第1絶縁領域と、 前記第1方向において前記第1部分領域と前記第1電極との間に設けられた第2絶縁領域と、 前記第1方向において前記第1部分領域と前記第1絶縁領域との間に設けられた第3絶縁領域と、 を含む、前記第1絶縁部と、 を備え、 前記第1絶縁領域及び前記第3絶縁領域は、第1〜第5条件の少なくともいずれかを満たし、 前記第1条件において、前記第3絶縁領域は、窒素を含み、前記第1絶縁領域は、窒素を含まず、 前記第2条件において、前記第1絶縁領域及び前記第3絶縁領域は、窒素を含み、前記第1絶縁領域における窒素の濃度は、前記第3絶縁領域における窒素の濃度よりも低く、 前記第3条件において、前記第3絶縁領域は、Al、Ti、Mg、Zr、Ta、Ce、Ir、Ru、Re、及びSrよりなる群から選ばれた少なくとも1つの第1金属を含み、前記第1絶縁領域は、前記第1金属を含まず、 前記第4条件において、前記第1絶縁領域及び前記第3絶縁領域は、前記第1金属を含み、前記第1絶縁領域における前記第1金属の濃度は、前記第3絶縁領域における前記第1金属の濃度よりも低く、 前記第5条件において、前記第1絶縁領域は、SiOz1を含み、前記第3絶縁領域は、SiOz2(z1<z2)を含む、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739
FI (5件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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