特許
J-GLOBAL ID：201903018852458835

半導体装置

発明者：
内藤 達也

内藤 達也 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-072757
公開番号（公開出願番号）：特開2019-186309
出願日： 2018年04月04日
公開日（公表日）： 2019年10月24日
要約：
【課題】半導体装置において、逆回復時の発熱を抑制する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の上面に接して設けられた第2導電型のウェル領域と、半導体基板に設けられ、半導体基板の上面視でウェル領域に挟まれて設けられ、半導体基板の上面および下面の間で電流が流れる活性領域と、活性領域に設けられたトランジスタ部と、活性領域に設けられ、半導体基板の上面視で予め定められた配列方向に沿ってトランジスタ部と交互に配列されたダイオード部と、活性領域の上方に設けられ、複数の開口が設けられた保護膜と、を備え、複数の開口のそれぞれにはパッドが配置され、少なくとも一つの開口が、トランジスタ部およびダイオード部の上方に設けられた、半導体装置を提供する。【選択図】図1d
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上面に接して設けられたウェル領域と、 前記半導体基板の上面および下面の間で電流が流れる活性領域と、 前記活性領域に設けられたトランジスタ部と、 前記活性領域に設けられ、前記半導体基板の上面視で予め定められた配列方向に沿って前記トランジスタ部に隣接して配列されたダイオード部と、 前記活性領域の上方に設けられた保護膜と、 を備え、 前記保護膜には、上面視において前記ウェル領域に挟まれた領域において複数の開口部が設けられており、 少なくとも一つの開口部が、前記トランジスタ部および前記ダイオード部の両方の上方に設けられた、 半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (18件)：
H01L29/78 658J ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 657C ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 E ,  H01L29/06 301G
Fターム (21件)：
5F038AZ08 ,  5F038BE07 ,  5F038BH16 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CA10 ,  5F038CA18 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BA15 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC12 ,  5F048BF07 ,  5F048BF17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-236999   出願人：富士電機株式会社

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