特許
J-GLOBAL ID：201903019518031096

表示装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-132447
公開番号（公開出願番号）：特開2018-195836
特許番号：特許第6532989号
出願日： 2018年07月12日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、画素部と駆動回路部とを有し、 前記画素部は、第1のトランジスタと、保持容量部とを有し、 前記駆動回路部は、第2のトランジスタを有し、 前記保持容量部は、第1の金属酸化物層と、前記第1の金属酸化物層上に重なる第1の導電層とを有し、 前記第1の金属酸化物層と、前記第1の導電層との間に、島状の第2の導電層を有し、 前記第2の導電層と、前記第1の導電層との間に、第3の導電層を有し、 前記第1のトランジスタは、前記第1の金属酸化物層と同層に設けられた第2の金属酸化物層を有し、 前記第1のトランジスタのゲート配線は、前記第2の導電層と同層に設けられた導電層を有し、 前記第1のトランジスタのソース配線は、前記第3の導電層と同層に設けられ、 前記第2のトランジスタは、前記第3の導電層及び前記ソース配線と同層に設けられた第4の導電層を有し、 前記第1の金属酸化物層と、前記第2の金属酸化物層と、前記第1の導電層とは、透光性を有し、 前記第3の導電層と、前記第4の導電層と、前記ソース配線とは、遮光性を有し、 前記第1の金属酸化物層は、前記保持容量部の電極として機能する領域を有し、 前記第1の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、 前記第4の導電層は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有することを特徴とする表示装置。
IPC (12件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/532 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1343 ( 200 6.01)
FI (11件)：
H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/088 D ,  H01L 27/088 331 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 M ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134
引用特許：
出願人引用 (4件)
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