半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202377
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036599
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】本発明は、低比抵抗を有し、400度以上の加熱工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】耐熱性の高いTa膜またはTaを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護膜で覆うことで、高温(400〜700°C)での加熱処理を施すことが可能となり、例えば結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリングする処理等を施すことができる。このような加熱処理を加えても、ゲート配線(配線幅:0.1μm〜5μm)が耐えうる温度範囲以内であり、且つ保護膜により保護されているので酸化されずに、配線を低抵抗に維持することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有することを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 617 L , G02F 1/136 500 , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

Fターム (75件)：

2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA38 , 2H092JA39 , 2H092JA42 , 2H092JA43 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB27 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB36 , 2H092JB38 , 2H092JB42 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092JB64 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA24 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA31 , 2H092MA34 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA17 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 2H092RA05 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB32 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD41 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG20 , 4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (9件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-205057 出願人：シャープ株式会社
レーザー照射方法およびレーザー照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-046992 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
薄膜電解効果トランジスタ及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-062237 出願人：株式会社東芝

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