特許
J-GLOBAL ID:200903058436707170

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-202377
公開番号(公開出願番号):特開2000-036599
出願日: 1998年07月16日
公開日(公表日): 2000年02月02日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、低比抵抗を有し、400度以上の加熱工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】 耐熱性の高いTa膜またはTaを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護膜で覆うことで、高温(400〜700°C)での加熱処理を施すことが可能となり、例えば結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリングする処理等を施すことができる。このような加熱処理を加えても、ゲート配線(配線幅:0.1μm〜5μm)が耐えうる温度範囲以内であり、且つ保護膜により保護されているので酸化されずに、配線を低抵抗に維持することができる。
請求項(抜粋):
絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有することを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。
IPC (4件):
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336
FI (8件):
H01L 29/78 617 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (75件):
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB27 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB36 ,  2H092JB38 ,  2H092JB42 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB64 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA24 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA31 ,  2H092MA34 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA17 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  2H092QA07 ,  2H092RA05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD41 ,  4M104DD42 ,  4M104DD79 ,  4M104EE06 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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