特許

J-GLOBAL ID：201903020525073657

SiC基板の研磨方法

発明者： 小島 勝義 ,  有福 法久 ,  佐藤 武志
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (3件)： 松本 昂 ,  岡本 知広 ,  笠原 崇廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-073212
公開番号（公開出願番号）：特開2019-186323
出願日： 2018年04月05日
公開日（公表日）： 2019年10月24日
要約：

【課題】高い研磨効率と十分な平坦性とを共に実現できる新たなSiC基板の研磨方法を提供する。【解決手段】砥粒を含有する研磨パッドをSiC基板に接触させて、SiC基板を研磨するSiC基板の研磨方法であって、SiC基板と研磨パッドとが接触する領域に酸性の研磨液を供給しながらSiC基板を研磨する第1研磨工程と、第1研磨工程の後、酸性の研磨液の供給を停止した状態で水のみをこの領域に供給しながらSiC基板を研磨する第2研磨工程と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

砥粒を含有する研磨パッドをSiC基板に接触させて、該SiC基板を研磨するSiC基板の研磨方法であって、 該SiC基板と該研磨パッドとが接触する領域に酸性の研磨液を供給しながら該SiC基板を研磨する第1研磨工程と、 該第1研磨工程の後、該酸性の研磨液の供給を停止した状態で水のみを該領域に供給しながら該SiC基板を研磨する第2研磨工程と、を含むことを特徴とするSiC基板の研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/005

FI (4件)：

H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622C ,  B24B37/00 K ,  B24B37/005 A

Fターム (25件)：

3C158AA07 ,  3C158AC04 ,  3C158CA01 ,  3C158CA04 ,  3C158CB01 ,  3C158CB03 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158ED23 ,  3C158ED26 ,  5F057AA03 ,  5F057AA14 ,  5F057AA24 ,  5F057AA28 ,  5F057BA12 ,  5F057BB09 ,  5F057CA11 ,  5F057DA03 ,  5F057DA08 ,  5F057EA02 ,  5F057EA32 ,  5F057EB10 ,  5F057FA42

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 板状物の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-117519   出願人：株式会社ディスコ
• 研磨液及びSiC基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-225756   出願人：株式会社ディスコ
• 研磨方法及び酸性研磨液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-126211   出願人：株式会社ディスコ