特許
J-GLOBAL ID：201603000572344780
研磨液及びSiC基板の研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松本 昂
, 岡本 知広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-225756
公開番号（公開出願番号）：特開2016-092246
出願日： 2014年11月06日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：
【課題】結晶格子の乱れを抑制できる研磨液、及び当該研磨液を用いるSiC基板の研磨方法を提供する。【解決手段】SiC基板(11)の研磨に使用される研磨液であって、過マンガン酸塩、pH調整剤、及び水を含有する構成とした。また、研磨液を供給すると共に、研磨パッド(18)をSiC基板に接触させてSiC基板を研磨するSiC基板の研磨方法であって、過マンガン酸塩、酸化力を有する無機塩類、及び水を含有する第1の研磨液を使用してSiC基板を研磨する第1の研磨工程と、該第1の研磨工程の後に、過マンガン酸塩、pH調整剤、及び水を含有する第2の研磨液を使用してSiC基板を仕上げ研磨する第2の研磨工程と、を含む構成とした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiC基板の研磨に使用される研磨液であって、
過マンガン酸塩、pH調整剤、及び水を含有することを特徴とする研磨液。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/304 622C
, H01L21/304 622E
, C09K3/14 550Z
, C09K3/14 550C
5F057AA06
, 5F057AA28
, 5F057BA11
, 5F057BB09
, 5F057BC05
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EA02
, 5F057EA03
, 5F057EA21
, 5F057EA26
, 5F057EA29
, 5F057EB10
