特許
J-GLOBAL ID：201903021457396309
誘電体膜の電気伝導率測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
木下 茂
, 澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-215345
公開番号（公開出願番号）：特開2019-087653
出願日： 2017年11月08日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
要約：
【課題】誘電体膜の電気伝導率を迅速に非破壊かつ高精度に測定すること。【解決手段】半導体基板W上に形成された誘電体膜の電気伝導率を測定する装置1であって、前記半導体基板を保持する基板保持部4と、前記基板保持部に保持された半導体基板の誘電体膜に対し所定の間隙をもって配置される複数のプローブ電極5と、前記プローブ電極を電極として前記半導体基板に電圧印加する電圧印加部8と、前記プローブ電極から紫外線をパルス発光させ、前記電圧印加部により電圧印加された前記半導体基板に紫外線照射するUV照射部7と、前記半導体基板の誘電体膜に発生するリーク電流の電圧を測定する測定部12と、前記電圧印加部による電圧印加開始から前記UV照射部による紫外線照射までの時間と測定された電圧との関係である時定数を算出し、該時定数に基づき誘電体膜の電気伝導率を求めるコンピュータ50とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された誘電体膜の電気伝導率を測定する装置であって、
前記半導体基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された半導体基板の誘電体膜に対し所定の間隙をもって配置される複数のプローブ電極と、
前記プローブ電極を電極として前記半導体基板に電圧印加する電圧印加部と、
前記プローブ電極から紫外線をパルス発光させ、前記電圧印加部により電圧印加された前記半導体基板に紫外線照射するUV照射部と、
前記半導体基板の誘電体膜に発生するリーク電流の電圧を測定する測定部と、
前記電圧印加部による電圧印加開始から前記UV照射部による紫外線照射までの時間と測定された電圧との関係である時定数を算出し、該時定数に基づき誘電体膜の電気伝導率を求めるコンピュータとを備えることを特徴とする誘電体膜の電気伝導率測定装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01R 31/26
, G01N 27/00
H01L21/66 Q
, H01L21/66 C
, G01R31/26 B
, G01N27/00 Z
, G01R31/26 Z
2G003AA02
, 2G003AB06
, 2G003AD00
, 2G003AE06
, 2G003AG03
, 2G003AH01
, 2G003AH04
, 2G060AA09
, 2G060AF15
, 2G060AG01
, 2G060AG14
, 2G060EB08
, 2G060HC13
, 4M106AA01
, 4M106AA13
, 4M106BA01
, 4M106BA07
, 4M106BA14
, 4M106BA20
, 4M106CA02
, 4M106CA70
, 4M106DE18
, 4M106DE24
, 4M106DE30
, 4M106DJ04
, 4M106DJ05
, 4M106DJ21
