研究者
J-GLOBAL ID:202001000546175479   更新日: 2024年10月31日

上沼 睦典

Uenuma Mutsunori
所属機関・部署:
職名: 主任研究員
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 奈良先端科学技術大学院大学  先端科学技術研究科 物質創成科学領域   客員准教授
研究分野 (3件): 薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (3件): MOS界面 ,  電子デバイス ,  熱電変換
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2022 - 2025 高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
  • 2022 - 2025 高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
  • 2020 - 2023 低熱伝導率を狙いとした構造異方性3次元フォノニック結晶の設計と高性能化
  • 2019 - 2022 アモルファス酸化物半導体における熱輸送に着目した高性能フレキシブル熱電素子の研究
  • 2018 - 2021 アモルファスまたは微結晶酸化物半導体の熱電応用に関する研究
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論文 (94件):
  • Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi. A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel for 3-D Integrated Devices. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024. 1-7
  • Dianne C. Corsino, Juan Paolo S. Bermundo, Muhammad Arif Razali, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka. Continuous-Wave Green Laser Activation of Transparent InZnO Electrodes for Fully Solution-Processed Oxide Thin-Film Transistors. ACS Applied Electronic Materials. 2023. 5. 11. 5986-5994
  • Aimi Syairah Safaruddin, Juan Paolo S. Bermundo, Chuanjun Wu, Mutsunori Uenuma, Atsuko Yamamoto, Mutsumi Kimura, Yukiharu Uraoka. High-k Solution-Processed Barium Titanate/Polysiloxane Nanocomposite for Low-Temperature Ferroelectric Thin-Film Transistors. ACS OMEGA. 2023. 8. 33. 29939-29948
  • Kanta Matsunaga, Takuto Harada, Shintaro Harada, Akinori Sato, Shota Terai, Mutsunori Uenuma, Tomoyuki Miyao, Yukiharu Uraoka. Interface State Density Prediction between an Insulator and a Semiconductor by Gaussian Process Regression Models for a Modified Process. ACS Omega. 2023. 8. 30. 27458-27466
  • Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi. A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel and InSnOx Electrode with Normally-off Operation, High Mobility and Reliability for 3D Integrated Devices. 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits). 2023
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MISC (37件):
  • 夏井葉月, 上沼睦典, 上沼睦典, 富田広人, 橋本由介, 松下智裕, 藤井茉美, 浦岡行治. 光電子ホログラフィによるPMA処理後のAl2O3/GaN界面評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
  • 富田広人, 上沼睦典, 桑原田進吾, 橋本由介, 藤井茉美, 田中晶貴, SUN Z., 松下智裕. 表面酸化膜/窒化ガリウム界面の原子構造解析. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2023. 78. 1
  • 吉井大陸, 藤井茉美, 上沼睦典, 浦岡行治. 水素プラズマエッチングのダイヤモンド結晶配向依存性評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • 富田広人, 上沼睦典, 橋本由介, 藤井茉美, 桑原田進吾, 田中晶貴, SUN Z., 松下智裕. 光電子ホログラフィー法による窒化ガリウムの局所構造解析. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2022. 77. 1
  • QUINO Candell Grace Paredes, BERMUNDO Juan Paolo, UENUMA Mutsunori, URAOKA Yukiharu. 溶液燃焼合成により作製したシリコン-スズ-酸化物薄膜におけるエージング時間と燃料含有量の効果【JST・京大機械翻訳】. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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特許 (4件):
学歴 (1件):
  • 2004 - 2009 九州大学大学院 工学府 材料物性工学専攻
学位 (1件):
  • 博士(工学)
経歴 (6件):
  • 2023/04 - 現在 産業技術総合研究所
  • 2020/06 - 2023/03 奈良先端科学技術大学院大学 准教授
  • 2014 - 2020/05 奈良先端科学技術大学院大学 助教
  • 2014 - 2014 奈良先端科学技術大学院大学 特任助教
  • 2013 - 2013 大阪大学大学院 特任助教
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受賞 (12件):
  • 2022/08 - 第19回 日本熱電学会学術講演会 優秀ポスター賞 Fe2VWAl/Si界面のショットキー障壁が熱電特性に与える影響
  • 2018/11 - 薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会 Student paper award アモルファスInGaZnOを用いた透明フレキシブル薄膜熱電変換素子
  • 2018/11 - International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 Student award Analyses of Electronic and Atomic Structures of Insulator/GaN Interface by Photoelectron Diffraction and Spectroscopy
  • 2018/09 - 第15回日本熱電学会学術講演会 優秀講演賞 透明半導体を用いた薄膜熱電変換素子
  • 2018/03 - 第65回応用物理学会春季学術講演会 ポスター賞 アモルファス酸化物薄膜のトランスバース型フレキシブル熱電変換素子
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