特許

J-GLOBAL ID：201103066981226253

金属ナノ粒子を有する抵抗変化メモリ

発明者： 浦岡 行治 ,  上沼 睦典
出願人/特許権者： 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-246473
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096714
出願日： 2009年10月27日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】抵抗変化メモリ素子の抵抗値のばらつきがなく、動作電圧の制御が可能な抵抗変化メモリ素子を提供する。【解決手段】第1電極100と、第1電極100上に形成された遷移金属酸化物の抵抗変化層110と、抵抗変化層110上に形成された第2電極130、及び抵抗変化層110内に形成される金属ナノ粒子120を含む抵抗変化メモリ素子であって、フィラメント電流経路140は第2電極130と金属ナノ粒子120間でのみ形成される。これにより、メモリ素子の抵抗値を安定化することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極上に形成された遷移金属酸化物の抵抗変化層と、前記抵抗変化層上に形成された第2電極、及び第2電極とのみフィラメント電流経路を形成する金属ナノ粒子を前記抵抗変化層内に含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 抵抗変化素子とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-232327   出願人：パナソニック株式会社
• 超分子構造物質の改質方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-078756   出願人：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-089776   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Ptナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 Application of Pt Nano-Dot to Resistive Switching Memory