特許
J-GLOBAL ID：201103025384003016
単一金属酸化物ナノ粒子による抵抗変化メモリおよびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-037728
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176041
出願日： 2010年02月23日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】金属酸化物単一ナノ粒子を抵抗変化メモリに利用するもので、メモリの大容量化や低消費電力化を実現する抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1電極と、前記第1電極上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に形成された第2電極、及び第1電極と第2電極と接触し絶縁膜中にフェリチンタンパク質により形成された金属酸化物ナノ粒子を1つ含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子であって、金属酸化物ナノ粒子の抵抗変化を利用したメモリ素子である。これにより、メモリ素子サイズの縮小と動作電力を低減することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1電極、第2電極、および第1電極と第2電極とに電気的に接触する金属酸化物ナノ粒子を単一メモリセル中に1つ含み、前記金属酸化物ナノ粒子が、フェリチンにより形成されることを特徴とする抵抗変化メモリ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F083FZ10
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083PR23
, 5F083PR40
