岩谷素顕

イワヤモトアキ | Iwaya Motoaki

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：薄膜、表面界面物性 , 光工学、光量子科学 , 結晶工学

研究キーワード (7件)：紫外半導体レーザ , 紫外発光素子 , 光センサ , 太陽電池 , Laser diode , LED , 窒化物半導体

競争的資金等の研究課題 (16件)：

2023 - 2028 ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
2023 - 2026 ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
2022 - 2025 遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ
2017 - 2022 強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発
2016 - 2021 多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

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論文 (440件)：

Ruka Watanabe, Kenta Kobayashi, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei. Over 20% wall plug efficiency of on-wafer GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser. Applied Physics Letters. 2024. 124. 13
Tatsunari Saito, Naoki Hasegawa, Yoshinobu Suehiro, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Motoaki Iwaya. Characteristics of Stacked GaInN-Based Red, Green, and Blue Full-Color Monolithic μLED Arrays Connected via Tunnel Junctions. physica status solidi (a). 2024
Koji Okuno, Rie Iwatsuki, Koichi Mizutani, Masaki Ohya, Yoshiki Saito, Shintaro Hakamata, Takeshi Matsushima, Aya Kawaoka, Shota Shimonishi, Hisanori Ishiguro, et al. Enhancing the optical properties of organic fluorine compound-encapsulated AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes with Ni/Au reflective electrodes. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3
Toma Nishibayashi, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Rintaro Miyake, Yusuke Sasaki, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, et al. Fabrication of Vertical AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Using a Substrate Exfoliation Method with Water. Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2024
Toru Tanaka, Naoto Sasaki, Aga Krisnanda, Masakazu Shinohara, Hilman Zulkifli Amin, Sayo Horibe, Ken Ito, Motoaki Iwaya, Atsushi Fukunaga, Ken Ichi Hirata, et al. Novel UV-B Phototherapy With a Light-Emitting Diode Device Prevents Atherosclerosis by Augmenting Regulatory T-Cell Responses in Mice. Journal of the American Heart Association. 2024. 13. 2. e031639

MISC (88件)：

薮谷歩武, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. 高反射率誘電体多層膜反射鏡適用によるAlGaN系UV-Bレーザダイオードの特性改善. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. AlGaN系UV-B半導体レーザーの作製とそのデバイス特性. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2022. 122. 271(ED2022 24-48)
薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski. Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations. 日本結晶成長学会誌. 2020. 47. 3. 47-3-05:1-47-3-05:9
清木良麻, 澁谷弘樹, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 岩瀬航平, 宮嶋孝夫, 上山智, 今井大地, 竹内哲也, et al. X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸の構造評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th

特許 (229件)：

学歴 (3件)：

2000 - 2003 名城大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士課程
1998 - 2000 名城大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
1994 - 1998 名城大学理工学部電気電子工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (名城大学)

経歴 (3件)：

2020/04 - 現在名城大学理工学部教授
2007/04 - 2020/03 名城大学理工学部准教授
2003/04 - 2007/03 名城大学理工学部講師

委員歴 (6件)：

2022/04 - 現在日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会幹事長
2022/04 - 現在日本結晶成長学会理事
2021/04 - 現在日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会運営委員
2021/04 - 2023/03 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会特別事業主査
2016/04 - 2021/03 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会特別事業幹事

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受賞 (6件)：

2024/03 - 応用物理学会応用物理学会優秀論文賞、AlGaN-based UV-B laser diode with a wavelength of 290 nm on 1 μm periodic concavo-convex pattern AlN on a sapphire substrate
2022/04 - IOP 2021 JSAP Outstanding Reviewer Awards
2021/09 - 日本結晶成長学会第36回(2021年度)日本結晶成長学会論文賞:
2021/09 - 応用物理学会応用物理学会論文賞 Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire
2017/09 - 応用物理学会応用物理学会論文賞 Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors

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所属学会 (2件)：

日本結晶成長学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

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