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J-GLOBAL ID：202002210139503070   整理番号：20A2501582

InSb-Al_2O_3MOSキャパシタに及ぼすHCl洗浄の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of HCl cleaning on InSb-Al₂O₃ MOS capacitors

著者 (8件)： Vavasour Oliver J (School of Engineering, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Jefferies Richard (School of Engineering, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Walker Marc (Department of Physics, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Roberts Joseph W (School of Engineering, University of Liverpool, Liverpool, L69 3GH, United Kingdom) ,  Meakin Naomi R (School of Engineering, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Gammon Peter M (School of Engineering, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Chalker Paul R (School of Engineering, University of Liverpool, Liverpool, L69 3GH, United Kingdom) ,  Ashley Tim (School of Engineering, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 34  号： 3  ページ： 035032 (7pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InSb表面およびInSb-Al_2O_3誘電界面でのHCl処理の役割を調べた。X線光電子分光法測定は,イソプロパノール(IPA)で希釈し洗浄したHClが,類似のHCl-水プロセスには存在していないInCl_3の表面層をもたらすことを示す。さらに,このInCl_3層は200°Cと250°Cの間で表面から脱着する。金属-オキシド-半導体キャパシタは200°Cと250°CでAl_2O_3の原子層堆積を用いて作製し,InCl_3の存在は+0.79Vのフラットバンド電圧シフトと関連していた。250°CでのInCl_3層の脱着はこのシフトを逆転させたが,増加したプロセス温度は界面トラップ電荷(D_it)とヒステリシス電圧(V_H)の増加をもたらした。他の性能指数に影響しないフラットバンド電圧のこのシフトは,MOSトランジスタの閾値電圧を操作するための有望な経路を提供し,増強モードと空乏モードデバイスを並列に製作することを可能にする。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *コンデンサ ,  電圧 ,  半導体 ,  ヒステリシス ,  酸化物 ,  MOSFET ,  表層 ,  *塩酸 ,  性能指数 ,  *アンチモン化インジウム ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  閾値電圧 ,  捕獲電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： InSb ,  HCl ,  洗浄