文献

J-GLOBAL ID：202002210883416793   整理番号：20A1056907

MOCVDによる厚いn極性InGaNのディジタル成長の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of Digital Growth of Thick N-Polar InGaN by MOCVD

著者 (9件)： Pasayat Shubhra S. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Lund Cory (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Tsukada Yusuke (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Catalano Massimo (Istituto Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Monteroni, Lecce, Italy) ,  Wang Luhua (Department of Materials Science and Engineering, University of Texas Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Kim Moon J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Texas Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Nakamura Shuji (Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Keller Stacia (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Mishra Umesh K. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 6  ページ： 3450-3454  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N_2キャリアガスへのH_2のパルス注入による一定のIn,Ga,およびN前駆体流から成るデジタルアプローチを用いて,サファイア上に有機金属化学蒸着(MOCVD)により,滑らかな200nm厚のN極性InGaN膜を成長させた。この成長スキームを用いて,H_2注入時間を変化させ,膜中の形態とインジウムの取り込みに及ぼす効果を観察した。InGaN層の表面形態に及ぼす付加的GaN中間層の周期的挿入の影響も調べた。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 極性 ,  *最適化 ,  *インジウム ,  パルス ,  ディジタル方式 ,  サファイア ,  前駆体 ,  *窒化ガリウム ,  *MOCVD ,  キャリアガス
準シソーラス用語： 表面形態 ,  中間層 ,  *InGaN ,  注入時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒化インジウムガリウム(InGaN) ,  窒化ガリウム(GaN) ,  窒素極性(n-極性) ,  有機金属化学蒸着(MOCVD) ,  ディジタルInGaN成長

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  極性 ,  InGaN ,  ディジタル ,  成長 ,  最適化