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J-GLOBAL ID：202002211062350620   整理番号：20A0269645

招待:垂直Ga_2O_3トランジスタのプロセスとキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Invited: Process and Characterization of Vertical Ga₂O₃ Transistors

著者 (5件)： Higashiwaki Masataka (National Institute of Information and Communications Technology,Koganei, Tokyo,Japan,184-8795) ,  Wong Man Hoi (National Institute of Information and Communications Technology,Koganei, Tokyo,Japan,184-8795) ,  Goto Ken (Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588) ,  Murakami Hisashi (Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588) ,  Kumagai Yoshinao (Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei, Tokyo,Japan,184-8588)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IMFEDK  ページ： 67-68  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(Ga_2O_3)は,特に高出力および/または高電圧スイッチング素子応用に適した新しい超広バンドギャップ半導体である。本論文では,多重イオン注入ドーピングプロセスを用いて作製した空乏化モードと増強モード垂直Ga_2O_3トランジスタのデバイス作製プロセスと特性を検討した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  多重化 ,  半導体 ,  *トランジスタ ,  イオン注入 ,  スイッチング素子 ,  酸化ガリウム ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  計算機システム開発  (JD02010R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  トランジスタ ,  プロセス ,  キャラクタリゼーション