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J-GLOBAL ID：202002211557079872   整理番号：20A2342575

F_4-TCNQで官能化した4H-SiC(0001)ナノファセット上のグラフェンの電子および熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic and Thermoelectric Properties of Graphene on 4H-SiC (0001) Nanofacets Functionalized with F4-TCNQ

著者 (7件)： Euaruksakul Chanan (Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Nakajima Hideki (Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Rattanachata Arunothai (Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Hanna Muhammad Y. (Research Center for Physics, Indonesian Institute of Sciences (LIPI), Tangerang Selatan, Indonesia) ,  Nugraha Ahmad. R. T. (Research Center for Physics, Indonesian Institute of Sciences (LIPI), Tangerang Selatan, Indonesia) ,  Boutchich Mohamed (GeePs | Group of Electrical Engineering - Paris, CNRS, CentraleSupelec, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, Sorbonne Universite, Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  Boutchich Mohamed (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES 3288, Singapore, Singapore)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 11  ページ： 6872-6880  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの官能化は,広範囲の応用に対してその光電子特性を調節するための確立された経路である。ここでは,光電子放出分光法とシンクロトロン放射を用いて,p型ドーパントテトラフルオロ-テトラシアノキノジメタン(F4-TCNQ)分子の蒸発時のバンド構造を調べ,4H-SiC(0001)炭化ケイ素基板上に成長したエピタキシャルグラフェンの大面積にわたる仕事関数(WF)シフトを決定した。この系は,電子特性がテラスと異なるステップエッジで,モノと多層から成る特異なナノ構造を示す。光電子放出電子顕微鏡(PEEM)の高い空間分解能により,F4-TCNQの吸着後,ステップエッジ上の多層グラフェンはテラス上の単層グラフェンと比較してより少ない電荷移動を受け,それらの最終WFを小さくした。この官能化グラフェン系の熱電特性を,Fermi準位(E_F)の範囲内で密度汎関数理論とBoltzmann輸送形式を用いて計算し,実験的に決定したキャリア濃度を計算した。ナノファセット上のSeebeck係数(S)は単層テラス上よりも25%大きく,最大力率(PF)は10-2W/K2mのオーダであることを示した。この桁は,バルクテルル化ビスマスのような市販の熱電材料のPFに匹敵する。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  吸着 ,  仕事関数 ,  蒸発 ,  シンクロトロン放射 ,  バンド構造 ,  電荷移動 ,  Fermi準位 ,  キャリア密度 ,  密度汎関数法 ,  *官能化 ,  熱電材料 ,  光電子 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エピタキシャルグラフェン ,  ナノファセット ,  光電子放出分光法 ,  仕事関数 ,  熱電特性

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： TCNQ ,  官能化 ,  4H-SiC ,  ナノファセット ,  グラフェン ,  電子 ,  熱電特性