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J-GLOBAL ID：202002212037672338   整理番号：20A0609390

Naフラックス成長後のLiを用いたサファイアの選択溶解による1.5インチ自立GaN基板の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of a 1.5-inch freestanding GaN substrate by selective dissolution of sapphire using Li after the Na-flux growth

著者 (6件)： Yamada Takumi (Division of Electric, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Imanishi Masayuki (Division of Electric, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Murakami Kosuke (Division of Electric, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Nakamura Kosuke (Division of Electric, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Yoshimura Masashi (Division of Electric, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Mori Yusuke (Division of Electric, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 533  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN結晶に誘起される熱応力の低減は,大直径GaN結晶の作製にとって重要である。Naフラックス法では,熱応力は成長後の成長温度でのサファイア溶解により除去される。この方法により自立GaN基板の作製に成功した。しかし,サファイアを溶解するための溶媒として用いたLiによるフラックスもGaNを溶解できる。本研究では,窒素量の増加が,サファイアの溶解を妨害することなく,Li添加フラックス中のGaN溶解を抑制できることを実証した。これはサファイアとGaNが異なる溶解機構を持つことを意味する。異なる機構を利用することにより,サファイアを選択的に溶解し,1.5インチ自立GaN基板を作製することに成功した。二次イオン質量分析(SIMS)により,Liが結晶中に組み込まれていることを明らかにした。Liの分布は,それがサファイア溶解の間に結晶に含まれることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナトリウム ,  大口径 ,  溶解度 ,  結晶 ,  窒素 ,  窒化物 ,  *サファイア ,  *溶解 ,  *窒化ガリウム ,  *フラックス法 ,  半導体 ,  *リチウム ,  熱応力
準シソーラス用語： 単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1 溶解度 ,  A1 溶媒 ,  A2 溶液からの成長 ,  A2 単結晶成長 ,  B1 窒化物 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Na ,  フラックス成長 ,  Li ,  サファイア ,  溶解 ,  自立 ,  GaN ,  作製