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J-GLOBAL ID：202002212659029786   整理番号：20A0870534

表面活性化結合により調製したナノスケールCu/ダイヤモンド界面のキャラクタリゼーション:熱管理に対する意味【JST・京大機械翻訳】

Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management

著者 (11件)： Liang Jianbo (Department of Electronic Information Systems, Osaka City University, Japan) ,  Ohno Yutaka (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Japan) ,  Yamashita Yuichiro (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan) ,  Shimizu Yasuo (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Ibaraki, Japan) ,  Kanda Shinji (Department of Electronic Information Systems, Osaka City University, Japan) ,  Kamiuchi Naoto (The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Japan) ,  Kim Seongwoo (Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Japan) ,  Koji Koyama (Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Japan) ,  Nagai Yasuyoshi (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Ibaraki, Japan) ,  Kasu Makoto (Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, Japan) ,  Shigekawa Naoteru (Department of Electronic Information Systems, Osaka City University, Japan)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 3  ページ： 2455-2462  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での表面活性化結合により調製したCu/ダイヤモンド界面の微細構造を断面走査透過型電子顕微鏡(STEM)により調べた。約4.5nmの厚さを持つCuとダイヤモンドから成る結晶欠陥層が接合界面に形成され,これは接合過程中にArビームを照射することにより導入される。700°Cでアニールした界面では結晶欠陥層は観察されず,これは高温アニーリング過程による欠陥層の再結晶化に起因する。欠陥層の代わりに,接合界面層と酸化銅層が界面に形成された。接合界面層と酸化銅層は,ダイヤモンドとCuの熱膨張係数の間の差によって引き起こされる残留応力を取り除く役割を果たす。接合界面の熱境界抵抗(TBR)は時間領域パルス光加熱熱反射法により1.7±0.2×10~-8m~2K/Wと測定された。これらの結果は,ダイヤモンドとCuの直接結合がパワーデバイスの放熱性能を改善するための非常に効果的な技術であることを示している。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  高温 ,  格子欠陥 ,  再結晶 ,  残留応力 ,  焼なまし ,  熱伝導率 ,  *ダイヤモンド ,  アルゴン ,  *銅 ,  酸化銅 ,  熱膨張係数
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  パワーデバイス ,  接合界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu/ダイヤモンド直接ボンディング ,  熱境界抵抗 ,  界面微細構造 ,  熱伝導率

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の物理的・機械的性質  (WB02040F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 表面活性化 ,  調製 ,  ナノスケール ,  Cu ,  ダイヤモンド ,  界面 ,  キャラクタリゼーション ,  熱管理 ,  意味