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J-GLOBAL ID：202002212996793394   整理番号：20A1233646

GaN-HEMTオーミック電極表面の平坦化に関する検討

著者 (2件)： 土田健祐 (山形大 大学院理工学研究科) ,  成田克 (山形大 大学院理工学研究科)
資料名： 応用物理学会東北支部学術講演会(CD-ROM)  (応用物理学会東北支部学術講演会予稿集(CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.2aA10  発行年： 2019年12月02日 
JST資料番号： L1473B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *Ohm接触 ,  *表面 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  焼なまし ,  チタン ,  アルミニウム ,  金 ,  電流電圧特性 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  アニーリング ,  *オーミック接触 ,  *電極表面

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  オーミック電極 ,  平坦化