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J-GLOBAL ID：202002213321374568   整理番号：20A1240547

448K以上の高い動的ロバスト性と高い動作温度を目標としたシリコンベースパワーダイオードのためのNバッファ設計【JST・京大機械翻訳】

N-Buffer Design for Silicon-Based Power Diode Targeting High Dynamic Robustness and High Operating Temperature Over 448 K

著者 (3件)： Nakamura Katsumi (Mitsubishi Electric Corporation Power Device Works, Fukuoka, Japan) ,  Nishizawa Shin-Ichi (Department of Aeronautics and Astronautics, Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Furukawa Akihiko (Mitsubishi Electric Corporation Power Device Works, Fukuoka, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 6  ページ： 2437-2444  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ハードスイッチングプロセスを動作させたときの最新のパワーダイオードの破壊挙動を調べた。数値シミュレーション解析から,破壊挙動は陽極側のp-n接合と活性領域の電流フィラメントにおける増強衝撃イオン化に起因する。陽極側の緩和電場と陰極側の減速電場は上記の挙動を防ぐ。これらの改善は陰極側のnバッファ層におけるキャリアプラズマ層の制御に起因する。本論文は,448K以上で優れた動的ロバスト性と高い動作温度を達成する電力ダイオードのための効果的nバッファ技術を実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  シミュレーション ,  *ダイオード ,  電場 ,  *ケイ素 ,  活性部位 ,  緩和現象 ,  衝突イオン化 ,  *ロバスト性 ,  バッファ層 ,  アノード ,  カソード
準シソーラス用語： 電力ダイオード ,  動作温度 ,  電流フィラメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ロバスト性 ,  動作温度 ,  目標 ,  バッファ ,  設計