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J-GLOBAL ID：202002213383926579   整理番号：20A0258946

Al₂O₃絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT

Ga-Sn-O TFT fabricated on Al₂O₃ insulating film

著者 (6件)： 服部一輝 (龍谷大 理工) ,  谷野健太 (龍谷大 理工) ,  松田時宜 (龍谷大 革新的材料・プロセス研究セ) ,  川原村敏幸 (高知工科大 ナノテクノロジー研) ,  LIU Li (高知工科大 ナノテクノロジー研) ,  木村睦 (龍谷大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 355(EID2019 5-6)  ページ： 9-12  発行年： 2019年12月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 絶縁体層としてAl₂O₃膜をミストCVD法(mist CVD)により作製し,Al₂O₃膜の有無によるGa-Sn-O薄膜トランジスタ(GTO TFT)の特性を比較した.結果として,Al₂O₃絶縁膜のないGTO TFTよりも,Al₂O₃絶縁膜上のGTO TFTの方が高い移動度が得られた.これは,GTO TFT特性のさらなる改善の可能性を示唆している.(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *酸化物 ,  ガリウム化合物 ,  スズ化合物 ,  酸化アルミニウム ,  *絶縁膜 ,  化学蒸着 ,  ミスト ,  移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• 薄膜材料デバイス研究会編,′′薄膜トランジスタ′′,2008/11,コロナ社
• 細野秀雄,平野正浩、′′酸化物半導体と鉄系超電導・新物質・新機能・応用展開′′,2010/8,シーエムシー出版
• T. Matsuda, et al., ′′Rare-Metal-Free High-Performance Ga-Sn-O Thin Film Transistor′′, Scientific Reports 7, 44326,2017.
• T. Kawaharamura, T. Uchida, M. Sanada,and M. Furuta ′′Growth and electrical properties of AlOx grown by mist chemical vapor deposition′′
• M.D. Groner, J.W. Elam, F.H. Fabreguette, S.M. George, ′′Electrical characterization of thin Al2O3 films grown by atomic layer 23 deposition on silicon and various metal substrates′′

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  絶縁膜 ,  作製 ,  Ga ,  SN ,  TFT