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文献
J-GLOBAL ID:202002213383926579   整理番号:20A0258946

Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT

Ga-Sn-O TFT fabricated on Al2O3 insulating film
著者 (6件):
資料名:
巻: 119  号: 355(EID2019 5-6)  ページ: 9-12  発行年: 2019年12月17日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法(mist CVD)により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄膜トランジスタ(GTO TFT)の特性を比較した.結果として,Al2O3絶縁膜のないGTO TFTよりも,Al2O3絶縁膜上のGTO TFTの方が高い移動度が得られた.これは,GTO TFT特性のさらなる改善の可能性を示唆している.(著者抄録)
シソーラス用語:
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トランジスタ 
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