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J-GLOBAL ID：202002213639967317   整理番号：20A1268127

両極性を低減し静電完全性を向上させたSOI Schottky障壁ナノワイヤMOSFET【JST・京大機械翻訳】

SOI Schottky Barrier Nanowire MOSFET with Reduced Ambipolarity and Enhanced Electrostatic Integrity

著者 (4件)： Saxena Amit (University School of Information and Communication Technology, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi, India) ,  Kumar Manoj (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Delhi, New Delhi, India) ,  Sharma R. K. (Department of Electronics and Communication Engineering, Ambedkar Institute of Advanced Communication Technologies and Research, New Delhi, India) ,  Gupta R. S. (Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 7  ページ： 4450-4456  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 提案したシリコン-オン-絶縁体Schottky障壁(SOI-SB)ナノワイヤ金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(NW-MOSFET)は,そのアナログ/ラジオ周波数(RF)性能をさらに改善するために広く研究されている。提案した素子は,OFF状態電流において,静電制御を効果的に改善し,両極性効果を低減することを示した。提案した素子のシミュレーションを行い,チャネル長22nm,半径5nmの誘電体ポケットSchottky障壁NW-MOSFETと比較した。SOI-SB NW-MOSFETは,I_OFF電流,I_ON/I_OFF比,サブ閾値勾配,初期電圧,トランス伝導発生因子,および固有利得に関して,改善された性能を示した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  電圧 ,  電流 ,  半導体 ,  誘電体 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  *MOSFET ,  利得 ,  *ナノワイヤ ,  絶縁体
準シソーラス用語： チャネル長 ,  両極性 ,  オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 両極性 ,  ナノワイヤ ,  絶縁体上のシリコン ,  Schottky障壁

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 両極性 ,  完全性 ,  SOI ,  Schottky障壁 ,  ナノワイヤ ,  MOSFET