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J-GLOBAL ID：202002214571798824   整理番号：20A0876717

シリコンマイクロニードルマトリックス形成のための技術的経路の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of a Technological Route for the Silicon Microneedles Matrix Formation

著者 (4件)： Chaplygin Yury A. (National Research University of Electronic Technology ”MIET”,Moscow, Zelenograd,Russia) ,  Putrya Mikhail G. (National Research University of Electronic Technology ”MIET”,Moscow, Zelenograd,Russia) ,  Paramonov V. V. (National Research University of Electronic Technology ”MIET”,Moscow, Zelenograd,Russia) ,  Osipova T. V. (SMC Technological Centre,Semiconductor Dept.,Moscow, Zelenograd,Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EIConRus  ページ： 2119-2122  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,「滑らかな」側壁,50nm未満の曲率半径,および3μmの高さを有するシリコンマイクロニードルアレイの形成のための新しい技術的アプローチを示した。通常,プラズマエッチングを用いて主なプロファイルを形成した後に針の先端を鋭くするとき,熱的シリコン酸化が使用されている。この場合に得られた結果は,パラメータの有意なばらつきを有していた。マイクロニードルアレイプロセスを作製するこの段階で,プラズマ化学酸化(P)COの技術を用いることを提案した。等方性シリコンエッチングステージの最適化によるプロファイル微小粗さの問題解決も示し,単一真空サイクルでマイクロニードルアレイを作製する技術を開発した。この技術は,50%以上の形状幾何学的特性の再現性を増加させ,微小針曲率半径を半分にすることを可能にした。開発した技術を用いて作製した半導体アレイにおいて,シリコン電界エミッタを含む種々の半導体デバイスを形成できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体素子 ,  最適化 ,  酸化 ,  プラズマエッチング ,  問題解決 ,  再現性 ,  等方性 ,  半導体
準シソーラス用語： 電界エミッタ ,  *マイクロニードル ,  プラズマ化学 ,  マイクロニードルアレイ ,  曲率半径 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 経路 ,  開発