文献

J-GLOBAL ID：202002216337517961   整理番号：20A0785073

銀を用いたフレキシブルAlドープZnO/Ag/AlドープZnO透明導電膜の特性改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of characteristics of flexible Al-doped ZnO/Ag/Al-doped ZnO transparent conductive film using silver

著者 (4件)： Manzen Issei (Advanced Mechanical and Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagoshima College, Kirishima 899-5193, Japan) ,  Yoshimura Yukio (Kagoshima Prefectural Institute of Industrial Technology, Kirishima 899-5105, Japan) ,  Matsubara Kazuki (Department of Electronic Control Engineering, National Institute of Technology, Kagoshima College, Kirishima 899-5193, Japan) ,  Nitta Atsushi (Department of Electronic Control Engineering, National Institute of Technology, Kagoshima College, Kirishima 899-5193, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 2  ページ： 022205-022205-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,フレキシブルデバイスに応用できる透明導電性酸化物(TCO)膜が注目されている。TCOの中で,酸化インジウムスズ(ITO)は頻繁に使用されているが,ITOはまれな金属Inを含み,柔軟ではない。従って,ITOの代替材料としてのAlドープZnO(AZO)透明導電膜に焦点を当てた。柔軟な電極を調製するために,ポリエチレンナフタレート(PEN)基板上に膜を調製した。ペン基板は熱に敏感であり,低温で堆積しなければならない。しかし,低温でのAZO膜形成の伝導率を改善する限界がある。したがって,AZO/Ag/AZO多層透明導電膜に焦点を合わせた。AZO層をRFマグネトロンスパッタリングにより蒸着し,Ag層を電子ビーム蒸着により蒸着した。電気的および光学的特性を,AZOおよびAg堆積中の堆積条件を変化させて評価した。したがって,Ag層の厚さが変化したとき,最大透過率は10nmの厚さで得られた。次に,上部AZO膜を室温/50°Cに分割した。上部AZOが50°Cで形成されると,既に堆積したAgは熱酸化により影響される。Agは,室温で上部AZOを最初に堆積させ,次に50°Cを適用することにより,熱酸化から保護され,透過率と抵抗率の改善をもたらした。さらに,Ag層中の酸素含有量の減少により,Ag層の堆積速度を増加させることにより,抵抗率と透過率を改善した。形成された薄膜の中で,最良の得られた特性は1.24×10~4Ωcmの抵抗率と84.8%の透過率であった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多層 ,  薄膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  *透明導電膜 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  インジウム ,  透過率 ,  熱酸化 ,  *銀 ,  酸化インジウムスズ ,  光学的性質 ,  堆積速度
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  フレキシブルデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 銀 ,  AlドープZnO ,  Ag ,  透明導電膜 ,  特性改善