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J-GLOBAL ID：202002216405609198   整理番号：20A0333822

Fe_3Si上のGeの固相エピタクシーのその場透過電子顕微鏡観察【JST・京大機械翻訳】

In situ transmission electron microscopy of solid phase epitaxy of Ge on Fe₃Si

著者 (4件)： Terker M (Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany) ,  Jenichen B (Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany) ,  Herfort J (Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany) ,  Trampert A (Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 34  号： 12  ページ： 124004 (6pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,立方晶Fe_3Si上のGeの固相エピタクシーのその場透過型電子顕微鏡(TEM)研究を提示した。非晶質Ge層を超高真空成長チャンバ内で室温で堆積した。200°Cと500°Cの間の顕微鏡におけるその後のアニーリング実験を,遅い加熱速度と急速な熱アニーリング条件の両方で行い,高空間分解能で非晶質/結晶相転移を観察し,固相エピタキシャル成長の間の結晶格子配列を明らかにした。時間依存高分解能TEM測定を用いて,平方根特性に従う結晶化速度を解析した。TEMにおけるエネルギー分散X線分光法により,結晶化Ge膜へのFe拡散を高温で検出し,FeGe_2の結晶相形成に及ぼす影響をエピタキシャル歪と熱処理に関して議論した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超高真空 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  *電子顕微鏡観察 ,  加熱速度 ,  晶析速度 ,  高温 ,  相転移 ,  *エピタクシー ,  立方晶系 ,  結晶 ,  結晶化 ,  結晶格子 ,  *ゲルマニウム ,  非晶質 ,  *鉄

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  固相エピタクシー ,  透過電子顕微鏡 ,  観察