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J-GLOBAL ID：202002216892419197   整理番号：20A2742776

無電解プロセスによるSiC基板上への貴金属触媒の析出

Deposition of Noble Metal Catalysts on SiC Wafer by Electroless Process

著者 (6件)： 福田健二 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  藤居稜 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  高坂祐一 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  山田直輝 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  松本歩 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  八重真治 (兵庫県大 大学院工学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 71  号： 12  ページ： 839-841  発行年： 2020年12月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・無電解析出によるパワーデバイスの電極形成において,SiC基板上の触媒改質は重要な技術である。光照射下の金属塩とHFの混合物溶液中で,4H-n-SiC基板上に5種類の貴金属を析出した。金属粒子核形成と成長挙動は金属の種類によってかなり異なった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  表面改質 ,  接触改質 ,  遷移金属触媒 ,  無電解めっき ,  紫外線照射 ,  光照射 ,  核形成 ,  結晶成長
準シソーラス用語： SiCパワーデバイス ,  パワーデバイス ,  触媒改質 ,  *貴金属触媒 ,  *無電解析出 ,  結晶粒成長 ,  4H-SiC

分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• 1)A. Suzuki ; Materia Japan, 33, 725(1994).
• 2)S. Tanimoto, H. Okushi, K. Arai ; Silicon Carbide Recent Major Advances, W. J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl eds., p.651(Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2004).
• 3)K. Fukuda, N. Yamada, D. Sadakane, S. Sakamoto, N. Fukumuro, S. Yae ; Trans. IMF, 95, 203(2017).
• 4)H. Atsushiba, Y. Orita, S. Sakamoto, N. Fukumuro, S. Yae ; ECS Trans., 61,(10), 9(2014).
• 5)Y. Orita, H. Atsushiba, M. Enomoto, T. Kimura, N. Fukumuro, H. Takagami, K. Kato, S. Sakamoto, S. Yae ; ECS Trans., 61,(10), 25(2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： 電解 ,  プロセス ,  SiC基板 ,  貴金属触媒 ,  析出