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J-GLOBAL ID：202002217032457674   整理番号：20A2648355

厚いGaNエピタキシャル層における結晶欠陥からの信頼性限界【JST・京大機械翻訳】

Reliability limitations from crystal defects in thick GaN epitaxial layers

著者 (1件)： Christou Aris (Department of Materials Science and Engineering and Mechanical Engineering Department, University of Maryland, College Park, MD 20742, United States of America)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNおよび関連する窒化物半導体から作製した垂直電力スイッチングデバイスは,特に厚いエピタキシャルドリフト層において高密度の結晶欠陥を含む。これらの欠陥の大部分は初めのウエハで存在し,デバイス処理中にいくつか発生する。結晶欠陥がデバイス性能,製造収率,およびより重要なことに,特にデバイスが極端なストレスの多い高電圧環境下で動作しているとき,結晶欠陥が果たす正確な役割に関する決定的証拠はほとんどない。本論文は,厚いGaNパワー半導体材料エピタキシャル層の特性評価の進展を提供し,ポテンシャル衝撃結晶欠陥は高密度電力スイッチングエレクトロニクスに持つ可能性がある。調査は,厚いエピタキシャル(10mm以上)領域を通る電場分布のシミュレーション結果も示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *格子欠陥 ,  シミュレーション ,  衝撃 ,  電力 ,  スイッチング素子 ,  電力トランジスタ ,  信頼限界 ,  *窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 電界分布 ,  高密度 ,  窒化物半導体 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化物半導体 ,  欠陥とトラップ ,  厚いエピタクシー ,  DMOSデバイス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  結晶欠陥 ,  信頼性限界