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J-GLOBAL ID：202002217156417803   整理番号：20A0377976

高アスペクト比シリコンピラーの非スイッチング擬似ボッシュエッチングに及ぼす酸素プラズマ洗浄の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of oxygen plasma cleaning on nonswitching pseudo-Bosch etching of high aspect ratio silicon pillars

著者 (4件)： Aydinoglu Ferhat (Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave. West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada) ,  Pan Aixi (Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave. West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada) ,  Zhu Chenxu (Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave. West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada) ,  Cui Bo (Department of Electrical and Computer Engineering, Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave. West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 1  ページ： 012804-012804-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドライプラズマシリコンエッチングにおいて,高いエッチング速度,マスク材料への高いエッチング選択性,垂直または制御可能な側壁プロファイル,および滑らかな側壁を持つことが望まれる。標準的なBoschプロセス(SF_6とC_4F_8ガスの間のスイッチング)は波状/粗い側壁プロファイルをもたらすので,ナノ構造の作製に必要な滑らかな側壁を与えるために,非スイッチング擬Boshプロセスを開発した。プロセスにおいて,SF_6とC_4F_8ガスを同時にチャンバーに導入した。ここで著者らは,周期的酸素(O_2)プラズマ洗浄ステップを導入することにより,SF_6/C_4F_8エッチングとO_2洗浄の間のスイッチング,シリコンエッチング速度を,いかなる悪影響もなく,著しく改善できることを示した。これは主にO_2プラズマが表面におけるフルオロカーボン高分子不動態化層を除去できるためである。エッチングと洗浄ステップの継続時間は,それぞれ5秒から40分と0から60秒まで変化させた。洗浄段階が全エッチング時間の約10%を占めるとき,最速のエッチング速度が得られた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  継続時間 ,  不動態化 ,  高分子 ,  ナノ構造 ,  *プラズマ ,  スイッチング ,  *酸素 ,  脂肪族フッ素化合物
準シソーラス用語： チャンバ ,  波状 ,  エッチング速度 ,  Siエッチング ,  *プラズマ洗浄 ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高アスペクト比 ,  シリコン ,  ピラー ,  スイッチング ,  擬似 ,  酸素プラズマ ,  洗浄