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J-GLOBAL ID：202002217203767078   整理番号：20A1026256

低圧化学蒸着によるグラフェン核形成の抑制に及ぼす銅基板上の異なる厚さの酸化物層の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of the oxide layer with different thicknesses on copper substrate on depressing graphene nucleation by low pressure chemical vapor deposition

著者 (5件)： Shi Yonggui (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Wang Yunwei (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Wang Yunwei (School of Biological and Chemical Engineering, Panzhihua University, Panzhihua 617000, China) ,  Ren Yang (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Sang Zhaojun (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 541  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる厚さの酸化物層で覆われた銅箔,すなわち,自然酸化基板と意図的に酸化された基板を,低圧化学蒸着によりグラフェンを製造するために調製した。加熱段階で還元される酸化物層を防ぐために,N_2を成長チャンバーに導入した。結果は,両方の基板上のグラフェン核形成密度は効果的に減少したが,意図的に酸化された基板上のそれはより低いことを示した。一方,意図的に酸化された基板上のグラフェン分域は,より良い結晶品質とより大きなサイズを有する単分子層であり,一方,自然酸化基板上のそれは,単分子層と数層グラフェンの共存によって引き起こされた悪い品質を有した。種々の成長段階における酸化物層によって引き起こされた基板表面の形態変化の解析に基づいて,グラフェン核形成と成長に影響する酸化物層の機構を研究した。また,良好な品質を有する大型グラフェンドメインを製造するためのより簡単で効果的な方法も提案した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *核形成 ,  *酸化 ,  分域 ,  単分子層 ,  成長段階 ,  酸化層 ,  *LPCVD ,  銅箔 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： チャンバ ,  結晶品質 ,  銅基板 ,  数層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1 酸化物層 ,  A1 銅基板 ,  A1 核形成 ,  A3 低圧化学蒸着 ,  B1 グラフェン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低圧化学蒸着 ,  グラフェン ,  核形成 ,  銅基板 ,  厚さ ,  酸化物層