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J-GLOBAL ID：202002217362562202   整理番号：20A0387969

電子ビーム蒸着による光起電力吸収体CuSbSe_2堆積における成長温度の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of growth temperature in photovoltaic absorber CuSbSe₂ deposition through e-beam evaporation

著者 (7件)： Goyal Deepak (Research Institute, Department of Physics and Nanotechnology, SRMIST, Kattankulathur, Tamil Nadu, 603203, India) ,  Goyal C.P. (Department of Physics and Nanotechnology, SRMIST, Kattankulathur, TamilNadu, 603203, India) ,  Goyal C.P. (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan) ,  Goyal C.P. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan) ,  Ikeda H. (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan) ,  Ikeda H. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan) ,  Malar P. (Research Institute, Department of Physics and Nanotechnology, SRMIST, Kattankulathur, Tamil Nadu, 603203, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 108  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CuSbSe_2カルコゲン化薄膜を,予め合成したCuSbSe_2バルク源材料からの電子ビーム蒸着を用いて,異なる温度で保持したガラス基板上に堆積した。バルクCuSbSe_2源化合物を,構成元素の機械的ボールミル粉砕によって合成した。基板温度と成長条件を最適化し,近化学量論的カルコゲン化薄膜を得た。合成した薄膜の構造,形態および光学特性をX線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS),走査電子顕微鏡(SEM),動的力顕微鏡(DFM),UV-vis-NIR分光法およびRaman分光法を用いて調べた。測定したHall係数の正値は,5.6×10~15cm-3のキャリア濃度をもつCuSbSe2薄膜のp型性質を示した。薄膜は~1.2eVの直接光学バンドギャップ(E_g)値と10~4cm-1以上の吸収係数を有することが分かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *電子ビーム蒸着 ,  光学ギャップ ,  Raman分光法 ,  力顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  吸収係数 ,  光学的性質 ,  化学量論 ,  電子顕微鏡観察 ,  *光起電力 ,  X線回折 ,  基板温度 ,  キャリア密度 ,  最適化

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  太陽電池 ,  電子ビーム蒸着 ,  三成分化合物

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム蒸着 ,  光起電力 ,  吸収体 ,  堆積 ,  成長温度 ,  役割