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J-GLOBAL ID：202002218108310703   整理番号：20A0023479

ZnSnAs₂中のMnドープにおけるZn空孔により誘起されたキャリアドーピング効果に関する第一原理理論研究

First-principles theoretical study on carrier doping effects induced by Zn vacancies in Mn-doped in ZnSnAs₂

著者 (4件)： KIZAKI Hidetoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIZAKI Hidetoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MORIKAWA Yoshitada (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORIKAWA Yoshitada (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 11  ページ： 110601.1-110601.6  発行年： 2019年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コヒーレントポテンシャル近似と密度汎関数理論内のローカルスピン密度近似(KKR-CPA-LSDA)を組み込んだKorringa-Kohn-Rostoker法を使用して,キュリー温度(T_C),電子構造,磁気特性の,Zn(Sn,Mn)As₂および(Zn,Mn)SnAs₂中のZn空格子点(V_Zn)の発生による正孔ドーピングへの依存性を調査した。(Zn,V_Zn)(Sn,Mn)As₂のT_Cは,二重交換相互作用の減少により正孔ドーピングにより強く減少することを見出した。これと対照的に,(Zn,V_Zn,Mn)SnAs₂は,常磁性(Zn,Mn)SnAs₂への正孔の導入のため,強磁性を示した。この場合,T_Cは二重交換相互作用の増大のために,正孔ドーピングにより著しく増強された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *ヒ化物 ,  *マンガン ,  *ドーピング ,  亜鉛 ,  *キャリア注入 ,  第一原理 ,  コヒーレントポテンシャル近似 ,  密度汎関数法 ,  スピン密度 ,  Curie温度 ,  電子構造 ,  磁気的性質 ,  空格子点 ,  交換相互作用 ,  強磁性
準シソーラス用語： *キャリアドーピング ,  密度汎関数理論 ,  磁気特性 ,  二重交換相互作用

分類 (2件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (10件)： Mn ,  ドープ ,  Zn ,  空孔 ,  誘起 ,  キャリア ,  ドーピング効果 ,  第一原理 ,  理論 ,  研究