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J-GLOBAL ID：202002219628140537   整理番号：20A1235639

In(acac)₃前駆体を用いた溶液プロセスにより形成されたIn₂O₃およびITO薄膜の電気特性

Electrical properties of In₂O₃ and ITO thin films formed by solution process using In(acac)₃ precursors

著者 (4件)： Jain Puneet (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Nakabayashi Yuji (Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Haga Ken-ichi (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Tokumitsu Eisuke (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCB12 (6pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムアセチルアセトナート[In(acac)₃]前駆体を用いた溶液法により,酸化インジウム(In₂O₃)および酸化インジウムスズ(ITO)膜を作製し,その電気的特性を評価した。In₂O₃とITO前駆体ゲル膜の急速熱アニール(RTA)は,アニール温度と時間を変化させてO₂中で行った。得られたIn₂O₃膜のホール移動度は42.7cm²V^-1s^-1と高いが,抵抗率は2.5×10-3Ωcmと低く,1wt%のITOではホール移動度が24.1cm²V^-1s^-1,キャリア濃度が1.0×10²⁰cm^-3であった。SnCl₂とSn(acac)₂の2種類のSn前駆体を用いてITOを作製し,電気的特性を比較したところ,Sn(acac)₂をSn前駆体としたITOの方がホール移動度が高いことがわかった。また,溶液処理したIn₂O₃をチャネルとして薄膜トランジスタを作製し,nチャネルトランジスタの動作を確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  前駆体 ,  処理 ,  酸化インジウム ,  *酸化インジウムスズ ,  酸化物 ,  薄膜 ,  ゲル ,  RTA【熱処理】 ,  温度 ,  加工時間 ,  雰囲気 ,  酸素 ,  Hall移動度 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  スズ化合物 ,  薄膜トランジスタ ,  MOSFET ,  *電気特性
準シソーラス用語： 溶液処理 ,  *ITO ,  酸化物薄膜 ,  熱処理温度 ,  処理時間 ,  酸素雰囲気 ,  キャリア濃度 ,  nチャネルMOSFET

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： アセチルアセトナート亜鉛

タイトルに関連する用語 (6件)： acac ,  前駆体 ,  溶液 ,  プロセス ,  ITO薄膜 ,  電気特性