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J-GLOBAL ID：202002219922541878   整理番号：20A0763533

微細チャネルミスト化学蒸着法による単斜晶Cu_2SnS_3薄膜の作製【JST・京大機械翻訳】

Preparation of monoclinic Cu₂SnS₃ thin films by fine channel mist chemical vapor deposition method

著者 (5件)： Tanaka Kunihiko (Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Kowata Mao (Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Yoshihisa Fumitaka (Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Imai Shinya (Department of Energy and Environment Science, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Yamazaki Wataru (Department of Energy and Environment Science, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 697  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,真空装置を必要としない微細チャネルミスト化学蒸着(CVD)法により,稀な金属フリーCu_2SnS_3(CTS)薄膜を作製した。ミスト溶液を,純水(溶媒)中でSnCl_4とCuCl_2を溶解することによって調製した。微細チャネルミストCVD法によりCu-Sn(CT)前駆体薄膜を得るために,ミスト溶液を390°Cで加熱したアルカリフリーガラス(Eagle)基板上に噴霧した。次に,調製したCT前駆体膜を硫黄含有雰囲気(H_2S(3%)+N_2)中で加熱し,CTS薄膜を得た。試料のX線回折パターンは,単斜晶CTSの特性(200),(131),(-131),(-333)ピークを示した。試料のRaman散乱スペクトルは,単斜晶CTSに起因する292,313,353,および372cm-1の近傍にピークを示した。これらの結果は,微細チャネルミストCVD法による単斜晶CTSの堆積が調製されたことを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  真空装置 ,  太陽電池 ,  *薄膜 ,  純水 ,  塩化銅 ,  スペクトル ,  噴霧 ,  *単斜晶系 ,  *化学蒸着 ,  *ミスト ,  前駆体 ,  *薄膜成長 ,  チャネル
準シソーラス用語： ミストCVD ,  アルカリフリーガラス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ミスト化学蒸着 ,  硫化銅スズ ,  吸収層 ,  太陽電池 ,  非真空プロセス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微細 ,  チャネル ,  ミスト ,  化学蒸着法 ,  単斜晶 ,  薄膜 ,  作製