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J-GLOBAL ID：202002220223096260   整理番号：20A0576884

NILテンプレート作製のための混合および整合リソグラフィーと低温エッチング【JST・京大機械翻訳】

Mix-and-match lithography and cryogenic etching for NIL template fabrication

著者 (9件)： Hofmann Martin (Ilmenau University of Technology, Department of Micro- and Nanoelectronic Systems, Gustav-Kirchhoff-Str. 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Weidenfeller Laura (Ilmenau University of Technology, Institute for Process Measurement and Sensor Technology, Gustav-Kirchhoff-Str. 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Supreeti Shraddha (Ilmenau University of Technology, Department of Microsystems Technology, Max-Planck-Ring 12, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Mechold Stephan (Ilmenau University of Technology, Department of Micro- and Nanoelectronic Systems, Gustav-Kirchhoff-Str. 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Holz Mathias (nano analytik GmbH, Ehrenbergstr. 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Reuter Christoph (nano analytik GmbH, Ehrenbergstr. 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Sinzinger Stefan (Ilmenau University of Technology, Department of Technical Optics, Helmholtzring 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Manske Eberhard (Ilmenau University of Technology, Institute for Process Measurement and Sensor Technology, Gustav-Kirchhoff-Str. 1, 98693 Ilmenau, Germany) ,  Rangelow Ivo W. (Ilmenau University of Technology, Department of Micro- and Nanoelectronic Systems, Gustav-Kirchhoff-Str. 1, 98693 Ilmenau, Germany)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 224  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出走査プローブリソグラフィー(FE-SPL)は,サブ10nmの高性能電子デバイスのプロトタイピングのための可能な技術である。しかし,連続書込み方式により,この技術はむしろ遅い。本研究の目的は,ナノインプリントリソグラフィー(NIL)用テンプレートを作製するために,低温エッチングと組み合わせた混合-整合プロセスの実証である。(i)高速直接レーザ照射(DLW)による1.5mm×1.5mm面積上のミクロンサイズ電極配置の作製,(ii)高分解能FE-SPLを用いた同じレジスト層上のナノサイズ特徴の逐次ステッチング,及び(iii)シリコンへのパターン転写を記述した。IC製造は,5nmより小さい臨界特徴サイズを持つ大きなスループットを必要とする。したがって,著者らのプロジェクトの動機は,5nmより小さい臨界特徴サイズを持つナノ電子デバイスのためのリソグラフィープロセスを開発することであるが,残りのデバイスサイズは100nm以上である。従って,可能なSETテンプレートを将来の高スループットNIL用に設計した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スループット ,  臨界 ,  電界放出 ,  *エッチング ,  パターン転写 ,  レーザ照射 ,  極低温 ,  *リソグラフィー ,  高分解能 ,  プロトタイピング ,  *低温
準シソーラス用語： ハイスループット ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  電子素子 ,  走査プローブリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 直接レーザ描画 ,  電界放出走査プローブリソグラフィー ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  Mix-and-Matchリソグラフィー ,  極低温エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： NIL ,  テンプレート ,  作製 ,  整合 ,  リソグラフィー ,  低温 ,  エッチング