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J-GLOBAL ID：202002220241797924   整理番号：20A0288372

温度プロファイルと過冷却の同時測定による2つのシリコンシードの凝固界面と粒界発達のその場観察【JST・京大機械翻訳】

In situ observation of the solidification interface and grain boundary development of two silicon seeds with simultaneous measurement of temperature profile and undercooling

著者 (4件)： Lau Victor (National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Rd, Da’an District, Taipei 10617, Taiwan) ,  Maeda Kensaku (Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Fujiwara Kozo (Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Lan Chung-wen (National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Rd, Da’an District, Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 532  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコンの結晶粒界は少数キャリア寿命,従って太陽電池効率に重要である。したがって,結晶成長中の結晶粒界の発達に関するさらなる理解が必要である。このin situ観察研究は,安定および不安定成長条件の両方を考慮して,異なる配向結晶間の凝固界面挙動および結晶粒界発達に焦点を合わせた。〈100〉と〈100〉+20°の成長方向方位を持つシリコンシードを部分的に融解し,次に観察炉内で凝固し,可視化と温度分布測定のためにデジタルと赤外(IR)顕微鏡を用いた。不安定な成長は成長速度の振幅の増加とともに連続的なゆらぎを示すことが分かった。これは過冷却の蓄積とファセットの成長に関係している。Electron後方散乱回折(EBSD)分析は,双晶核形成が低過冷却安定成長のためのファセット溝の谷から生じ,一方,ランダム粒核形成が高過冷却不安定成長のためのファセットの先端から起こることを示した。溝内の測定した負の温度勾配を用いて不安定条件下での成長挙動を説明した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外線 ,  ゆらぎ ,  太陽電池 ,  *その場観察 ,  双晶 ,  核形成 ,  ポリシリコン ,  *結晶粒界 ,  結晶 ,  *界面 ,  結晶成長 ,  *同時計測 ,  *過冷却 ,  ファセット ,  可視化

著者キーワード (4件)： A1 方向性凝固 ,  A1 界面 ,  A1 過冷却 ,  B1 半導体シリコン

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 温度プロファイル ,  過冷却 ,  同時測定 ,  シリコン ,  凝固界面 ,  粒界 ,  発達 ,  その場観察