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J-GLOBAL ID：202002221169608863   整理番号：20A0182423

巨大電場下の二層グラフェンの電子特性

Electronic properties of bilayer graphene under an enormous electric field

著者 (7件)： ZHI Lei (Okayama Univ.) ,  GOTO Hidenori (Okayama Univ.) ,  TAKAI Akihisa (Okayama Univ.) ,  EGUCHI Ritsuko (Okayama Univ.) ,  NISHIKAWA Takao (Yamagata Univ.) ,  TOKITO Shizuo (Yamagata Univ.) ,  KUBOZONO Yoshihiro (Okayama Univ.)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 74  号： 2  ページ： ROMBUNNO.13pD15-8  発行年： 2019年09月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： グラフェンは,その優れた機械的強度,化学的安定性および高い移動性のために,多くの注目を集めている。しかし,グラフェン系デバイスを開発するためには,バンドギャップの開口がオン-オフ比の改善に不可欠である。実際に,垂直電場下で二層グラフェン(B...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 電場 ,  電場効果 ,  グラフェン ,  *バンドギャップ ,  FET【トランジスタ】 ,  イオン液体 ,  電圧 ,  *電気抵抗 ,  *二層グラフェン ,  高電場
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  強電場 ,  電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電場 ,  二層グラフェン ,  電子