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J-GLOBAL ID：202002222239395914   整理番号：20A0669648

バイアス変調走査イオンコンダクタンス顕微鏡を用いた自立マイクロピラーのための局所電気めっき堆積【JST・京大機械翻訳】

Local electroplating deposition for free-standing micropillars using a bias-modulated scanning ion conductance microscope

著者 (6件)： Nakazawa Kenta (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Yoshioka Masayoshi (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Mizutani Yusuke (Division of Microscopic Anatomy, Graduate School of Medical and Dental Sciences, Niigata University, Niigata, Japan) ,  Ushiki Tatsuo (Division of Microscopic Anatomy, Graduate School of Medical and Dental Sciences, Niigata University, Niigata, Japan) ,  Iwata Futoshi (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Iwata Futoshi (Graduate School of Medical Photonics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 26  号： 4  ページ： 1333-1342  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ粒子上に微細な位置決め機構を持つ局所電気めっき金属微小堆積プロセスを開発した。微細な位置決めは,単一開口ナノピペットを用いたバイアス変調走査イオンコンダクタンス顕微鏡(BM-SICM)で達成した。変調センシング信号(例えば正弦波信号)を用いて,電気めっきによる堆積を位置決め中に防止した。堆積過程を実証するために,簡単なマイクロピラーを作製した。一段階堆積プロセスにおいて,直径4.3~5.1μm,長さ20μmの銅ピラーのアレイを作製した。作製プロセス中のピラーの切断は,0.82μm/sより高い作製速度で生じた。閉ループ制御なしで堆積を可能にするために,ピラーの成長端における堆積過程と微細な位置決めステップを繰り返すことにより,多段階蒸着プロセスを導入した。この多段階蒸着プロセスを用いて,21および9サイクルで接続された高アスペクトピラーをそれぞれ0.7および1.0VのDC電圧で0.82μm/sの速度で作製した。BM-SICMによるこの簡単な堆積技術は微細加工技術に寄与する。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位置決め ,  フィードバック制御 ,  直流電圧 ,  ナノ粒子 ,  銅 ,  *電気めっき ,  バイアス ,  開口 ,  *走査 ,  ナノピペット
準シソーラス用語： *マイクロピラー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： バイアス ,  変調 ,  走査 ,  イオン ,  コンダクタンス ,  顕微鏡 ,  自立 ,  マイクロピラー ,  電気めっき ,  堆積