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J-GLOBAL ID：202002222618470678   整理番号：20A0544916

異なる添加物を有する多孔質反応結合窒化ケイ素の誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric Properties of Porous Reaction-Bonded Silicon Nitride with Different Additives

著者 (3件)： Xu Jie (Xi’an Polytechnic University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Luo Fa (Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China) ,  Zhou Wancheng (Northwestern Polytechnical University, Xi’an, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 3  ページ： 1611-1617  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.6mmの開口を有する多孔質窒化ケイ素セラミックの誘電特性に及ぼす添加物の影響と反応焼結によって調製された56%の気孔率を研究した。結果は,多孔質窒化ケイ素セラミックにおける高い気孔率と大きな開口が,高密度窒化ケイ素セラミックと比較して,誘電率と誘電損失を低くすることを示した。α-Si_3N_4添加剤は,誘電率と誘電損失を減少させるのに有益である。Y_2O_3とLa_2O_3粉末の添加は,Y-Si-O-NとLa-Si-O-N相の形成をもたらし,β-Si_3N_4相の体積分率を強化する。Y3+とLa3+の弱く会合したイオンと空格子点のY-Si-O-NとLa-Si-O-N系における遷移は,より高い誘電率と誘電損失をもたらす。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 開口 ,  多孔性 ,  *誘電性 ,  セラミック ,  イオン ,  反応焼結 ,  粉体 ,  誘電損失 ,  *窒化ケイ素 ,  体積率 ,  空隙率 ,  誘電率
準シソーラス用語： 高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 多孔質窒化ケイ素セラミックス ,  反応結合 ,  添加剤 ,  誘電特性

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 添加物 ,  多孔質 ,  窒化ケイ素 ,  誘電特性