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J-GLOBAL ID：202002223870314305   整理番号：20A2159816

温和なプラズマ処理による大面積二硫化モリブデン膜の低損傷層毎エッチング【JST・京大機械翻訳】

Low-Damaged Layer-by-Layer Etching of Large-Area Molybdenum Disulfide Films via Mild Plasma Treatment

著者 (2件)： Chee Sang-Soo (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science & Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Ham Moon-Ho (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science & Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 7  号： 17  ページ： e2000762  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)膜の層数を制御することは,それらの層依存光学特性のため,オプトエレクトロニクス応用に不可欠である。しかし,TMDC層を制御する方法の大部分は望ましくない欠陥形成を誘起し,機械的剥離から得られたTMDCフレーク上で実行される。これらの限界は,実用的なTMDCベースのオプトエレクトロニック応用をより困難にする。ここでは,二硫化モリブデン(MoS_2)膜の層ごとのエッチング法を,温和な硫黄ヘキサフルオリド(SF_6)プラズマ処理を用いて開発した。層の数は,プラズマ処理時間を増加させることにより,三層から単層まで制御でき,一方,全体の膜品質を保存できることを確認した。このような低損傷層毎のエッチングは,MoS_2への物理的損傷なしに,イオン化フッ素とMoS_2の間の化学反応を導入するだけのこの穏やかなプラズマエッチングシステムに起因する。層制御MoS_2素子の電気的性質も調べ,三,二,および単層MoS_2に対して,それぞれ16.2,8.84,および2.87cm2V-1s-1の比較的高い電界効果移動度を達成した。この知見は,2D TMDCの層ごとの工学を実現する可能性を提供する。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  *エッチング ,  光学的性質 ,  *プラズマ ,  フッ素 ,  化学反応 ,  電気的性質 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  単一層 ,  プラズマエッチング ,  *プラズマ処理
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  電界効果移動度 ,  欠陥形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フッ素 ,  層エッチング ,  二硫化モリブデン ,  プラズマ ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ処理 ,  大面積 ,  硫化 ,  モリブデン膜 ,  損傷 ,  エッチング