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J-GLOBAL ID：202002223954323655   整理番号：20A0881773

環境透過型電子顕微鏡のためのダイヤフラムとして低エネルギー窒素イオンビームによって得られたシリコーン系修飾層【JST・京大機械翻訳】

Silicone-based modified layer obtained by low-energy nitrogen ion beam as diaphragm for environmental transmission electron microscope

著者 (3件)： Tai Yuki (Graduate School of Science & Engineering, Major of Electronic Engineering, Kindai University, 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-0822, Japan) ,  Matsutani Takaomi (Graduate School of Science & Engineering, Major of Electronic Engineering, Kindai University, 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-0822, Japan) ,  Kawasaki Tadahiro (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, Japan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 385  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境セル透過型電子顕微鏡(E-TEM)におけるダイヤフラムとして使用するために,低エネルギー窒素イオンビーム照射により作製したシリコーン樹脂とシリコーングリースの表面改質層を用いて,非晶質窒化ケイ素(a-SiCN)膜を調製した。シリコーン高分子の表面改質のための窒素イオン照射の間に用いた条件は,0.8~1.5kVの加速電圧,0.70~2.10μA/cm2のイオン電流密度,および4.8~8.0×10~16イオン/cm2のイオン線量であった。非修飾層をヘキサンでエッチングすることにより得られた修飾層をX線光電子分光法(XPS)により評価した。シリコーン樹脂を用いた改質層よりもシリコーングリースを用いた改質層の方が窒素の原子比が高かった。窒素イオン照射により,シリコングリース上の最良の最も薄い窒化条件を得た。加速電圧は0.8kV,イオン電流密度は0.7μA/cm2,イオン線量は4.8イオン/cm2であった。しかし,シリコーン-グリースベースの改質層はシリコーン樹脂ベースの改質層よりもはるかに多くの偏向を示した。これはシリコーン樹脂の非改質層がシリコーングリースより強靭な材料であるためと考えられる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シリコーン樹脂 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  グリース ,  イオン照射 ,  *イオンビーム ,  非晶質 ,  X線光電子分光法 ,  窒化 ,  高分子 ,  *ポリシロキサン ,  表面改質 ,  *ダイヤフラム ,  イオン電流 ,  窒化ケイ素 ,  *窒素 ,  改変

著者キーワード (6件)： 窒素イオンビーム ,  表面改質 ,  シリコーン ,  A-SiCN ,  e-TEM ,  XPS

分類 (3件)： 表面処理  (YH04112X) ,  表面硬化熱処理  (WC03030E) ,  医用素材  (GA05040H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 環境 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ダイヤフラム ,  低エネルギー ,  窒素 ,  イオンビーム ,  シリコーン ,  修飾