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J-GLOBAL ID：202002225317844297   整理番号：20A2035759

高速繰返し過渡応力下のAlGaN/GaN HEMTにおけるSOA境界の時間依存シフトとエピスタックの初期破壊【JST・京大機械翻訳】

Time Dependent Shift in SOA Boundary and Early Breakdown of Epi-Stack in AlGaN/ GaN HEMTs Under Fast Cyclic Transient Stress

著者 (8件)： Shankar Bhawani (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Shikha Swati (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Singh Anant (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Kumar Jeevesh (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Soni Ankit (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Dutta Gupta Sayak (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Raghavan Srinivasan (Center for Nanoscience and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Shrivastava Mayank (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 20  号： 3  ページ： 562-569  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この実験的研究は,(i)AlGaN/GaN HEMTにおけるSOA境界シフトと,(ii)高速変化(サブ10ns上昇時間)サイクルパルス過渡応力下の垂直AlGaN/GaNエピスタックの初期の飛行時間の観測を初めて報告し,そうでなければ,600V DCストレスを認定した。DC応力の下で10年間寿命に認定されたエピスタックは,繰返し過渡応力の下でより速く失敗することを示した。ドレインから基板への漏れはDCとパルスストレス下で異なる傾向を示した。原子論的シミュレーションと共にRaman/PLマッピング,PFMおよびCL分光法を含む統合電気的および機械的応力キャラクタリゼーションルーチンは,過渡的応力条件下で材料制限のユニークな破壊物理を明らかにした。断面SEMおよびTEM調査を用いた破壊解析は,過渡およびDC応力条件下で異なる劣化および破壊機構の兆候を明らかにした。繰返し過渡応力下のAlGaN/GaNエピスタックの急速破壊に対する破壊モデルを提案し,実験的に検証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時間依存性 ,  *HEMT
準シソーラス用語： 破壊解析 ,  破壊機構 ,  *初期破壊 ,  破壊モデル ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 応力 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  SOA ,  境界 ,  時間依存 ,  シフト ,  初期破壊