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J-GLOBAL ID：202002225647490607   整理番号：20A2698765

シリコン基板上の超高アスペクト比ナノ壁とナノ構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of ultra-high-aspect-ratio nano-walls and nano-structures on silicon substrates

著者 (4件)： Pournia Mahsa (School of Electrical and Computer Engineering, College of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Firoozabadi Seyed Ahmadreza (School of Electrical and Computer Engineering, College of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Fathipour Morteza (School of Electrical and Computer Engineering, College of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Kolahdouz Mohammadreza (School of Electrical and Computer Engineering, College of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 30  号： 12  ページ： 125008 (11pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上の高アスペクト比垂直特徴の実現は,マイクロ電気機械システムデバイスの製造プロセスにおいて重要なステップである。したがって,深い反応性イオンエッチング(DRIE)は,それらの構造の作製において,重要な役割を果たす。最近,より高いアスペクト比を達成するために新しいDRIEプロセスを提案するために多くの努力がなされてきた。しかし,それらはプロセスパラメータに対して複雑性と高感度に悩まされる。ここでは,H_2とO_2ガスを使用して,Si基板上に提案した低温SiO_2堆積の採用によるシリコンの高アスペクト比垂直エッチングを報告する。このプロセスは,SF_6のようなフッ素供与ガスによるエッチングの交互ステップの多重シーケンスとSiO_2による側壁不動態化を用いる。エッチング速度は0.8μm・min-1に達し,100以上のアスペクト比の値はこのプロセスによって容易に達成可能である。さらに,このプロセスは,ナノ壁と高アスペクト比のナノ壁チューブの制御された製作と,三次元シリコン構造も可能にする。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  低温 ,  *ケイ素 ,  アスペクト比 ,  不動態化 ,  電気機械 ,  多重化 ,  三次元 ,  プロセスパラメータ ,  RIE【エッチング】 ,  生産工程 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  *シリコンウエハ ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  高アスペクト比 ,  ナノ壁 ,  ナノ構造 ,  作製