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J-GLOBAL ID：202002225780460503   整理番号：20A2575581

GaNのSiドーピング限界の結合赤外反射率とRaman分光分析【JST・京大機械翻訳】

Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN

著者 (7件)： Ma Bei (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan) ,  Tang Mingchuan (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan) ,  Ueno Kohei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku 153-8505, Japan) ,  Kobayashi Atsushi (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku 153-8505, Japan) ,  Morita Ken (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan) ,  Fujioka Hiroshi (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku 153-8505, Japan) ,  Ishitani Yoshihiro (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 19  ページ： 192103-192103-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FeドープGaN/Al_2O_3テンプレート上にパルススパッタリング蒸着(PSD)により成長させたHeavily SiドープGaN層を,赤外反射率と顕微Raman測定を用いて調べた。Siドープ層の電子密度(n_e)は3×1018~4×1020cm-3の範囲にあることが分かった。赤外反射率と顕微Raman散乱測定の利点を利用して,ドーピングへの遷移の兆候を最高ドーピング試料に対して検出し,ここでは,n_eの緩やかな減少と表面に向かってのE_2(高)フォノンモードのRamanピークの最大広がりを観察し,また,立方晶相結晶の生成に起因する表面に向かって付加的Ramanピークの成長を観測した。他方,他の試料はSiドープ層の全領域で2×1020cm-3までの空間的に均一なn_eと小さな歪を示した。この結果は,PSD法による高導電性SiドープGaN層の成長実現可能性を実証した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  電子密度 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  パルス ,  立方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  スパッタ蒸着 ,  *Raman分光分析 ,  *赤外反射
準シソーラス用語： フォノンモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  無機化合物の赤外・Ramanスペクトル(分子)  (BH06032B) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Si ,  ドーピング ,  限界 ,  赤外反射 ,  Raman分光分析