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J-GLOBAL ID：202002226002201352   整理番号：20A1993375

電子材料のコア研究センターを形成するための元素戦略イニシアチブ-シンクロトロン光,中性子,ミューオンビームを使用したマルチプローブ研究-

Element Strategy Initiative to Form Core Research Center for Electron Materials-Multi-probe study using synchrotron light, neutron, and muon beams-

著者 (4件)： MURAKAMI Youichi (高エネルギー加速器研究機構) ,  KUMIGASHIRA Hiroshi (高エネルギー加速器研究機構) ,  KADONO Ryosuke (高エネルギー加速器研究機構) ,  YAMAURA Jun-ichi (高エネルギー加速器研究機構)
資料名： KEK Progress Report (Web)  (KEK Progress Report (Web))
号： 2020-1  ページ： 25-29 (WEB ONLY)  発行年： 2020年07月 
JST資料番号： U0583A  ISSN： 1344-6320  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・筆者らは,新しい材料の評価と分析,材料の概念の確立,シンクロトロン光,中性子,ミューオンビームを使用した材料の評価技術の開発に努力。
・主なトピックは,LaTiO₂Nの極性ナノ領域(PNR)構造,IGZOの水素の子構造,Y₂Cの陰イオン電子誘起磁性。
・酸窒化物ペロブスカイトLaTiO₂Nの極性ナノ領域構造,ミューオンによってシミュレートされたIGZO半導体の水素の電子構造の研究を実施。
・さらに,Y₂Cにおける陰イオン電子誘起磁性を非弾性中性子散乱により研究。
・この結果は,強磁性スピンゆらぎがY₂Cの磁性に支配的な役割を果たしていることを示唆。

シソーラス用語： 電気材料 ,  シンクロトロン放射 ,  中性子ビーム ,  μ粒子ビーム ,  チタン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  窒化物 ,  *強誘電分域 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  炭化物 ,  イットリウム化合物 ,  *強磁性 ,  中性子散乱 ,  *電子構造
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  シンクロトロン放射光 ,  極性ナノ領域 ,  電子材料 ,  非弾性中性子散乱

分類 (3件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (12件)：

• Oxynitride Perovskites: Synthesis and Structures of LaZrO₂N, NdTiO₂N, and LaTiO₂N and Comparison with Oxide Perovskites, S. J. Clarke, B. P. Guinot, C. W. Michie, M. J. C. Calmont and M. Rosseinsky, Chem. Mater.,14, 288 (2002).
• High-Temperature Synthesis and Structures of Perovskite and n = 1 Ruddlesden-Popper Tantalum Oxynitrides, S. J. Clarke, K. A. Hardstone, C. W. Michie and M. Rosseinsky, Chem. Mater., 14, 2664 (2002).
• Characterization of the Structural, Optical, and Dielectric Properties of Oxynitride Perovskites AMO₂N (A=Ba, Sr, Ca; M=Ta, Nb), Y. I. Kim, P. M. Woodward, K. Z. Baba-Kishi and C. W. Tai, Chem. Mater., 16, 1267(2004). M. Jansen and H. P. Letschert, Nature, 404,980 (2000).
• Polar nano-region structure in the oxynitride perovskite LaTiO₂N, J. Yamaura, S. Maki, T. Honda, Y. Matsui, A. Noviyanto, T. Otomo, H. Abe, Y. Murakami, and N. Ohashi, Chem. Commun., 56, 1385 (2020).
• Hydrogen anion and subgap states in amorphous In-Ga-Zn-O thin films for TFT applications, J. Bang, S. Matsuishi, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 110, 232105 (2017).

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子材料 ,  コア ,  研究 ,  センター ,  元素戦略 ,  シンクロトロン ,  中性子 ,  マルチプローブ