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J-GLOBAL ID：201902278833256624   整理番号：19A1413789

TFT応用のための非晶質In-Ga-Zn-O薄膜における水素アニオンとサブギャップ状態【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen anion and subgap states in amorphous In-Ga-Zn-O thin films for TFT applications

著者 (3件)： Bang Joonho (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Matsuishi Satoru (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Hosono Hideo (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 23  ページ： 232105-232105-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素は半導体の物理的性質に重要な役割を持つ不純物種である。多くの研究にもかかわらず,酸化物半導体における水素の役割は未解決の謎のままである。この状況は不純物水素の化学状態に関する不十分な情報から生じた。ここでは,薄膜トランジスタ(TFT)応用のための非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜における金属カチオンへのアニオン性水素結合の直接証拠を報告し,水素不純物がa-IGZOの電子構造にどのように影響するかを論じた。スパッタリングにより調製した自立a-IGZO薄膜の赤外吸収スペクトルは,主な水素種(濃度は~10~20cm-3)としての水素アニオンの存在を明らかにし,ヒドロキシル基(~10~20cm~3)の形で水素と共に水素イオンの存在を明らかにした。密度汎関数理論計算により,これらの水素化物イオンと金属中心との結合は価電子帯の上部のサブギャップ状態を生じ,a-IGZO TFTで一般的に観測される負のバイアス照射応力不安定性における陰イオン水素の重要な役割を示唆した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *水素 ,  半導体 ,  赤外吸収スペクトル ,  金属イオン ,  *非晶質 ,  電子構造 ,  *アニオン ,  スパッタリング ,  価電子バンド ,  薄膜トランジスタ ,  不安定性 ,  不純物 ,  *薄膜 ,  バイアス
準シソーラス用語： *サブギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： TFT ,  応用 ,  非晶質 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜 ,  水素 ,  アニオン ,  サブギャップ